PD最大耗散功率:2.5WID最大漏源電流:1AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:800VRDS(ON)Ω內阻:20MΩVRDS(ON)ld通態電流:0.5AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:3~5VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μAGfs(min)S跨導:0.75SGfs(min)VDS漏源電壓:50VGfs(min)lo通態電流:0.5A
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一、應用場景:
1. 開關電源:在現代電子設備中,開關電源是一種非常常見的電源轉換方式。FQD1N80因其高耐壓特性和低導通電阻,成為開關電源設計中的理想選擇。它能有效提高電源轉換效率,減少功率損耗,提升設備的整體性能。
2. 電機控制:在電機控制應用中,需要快速開關的功率器件來控制電機的啟動和停止。FQD1N80的快速開關特性和高電流處理能力,使其在電機驅動電路中表現出色,能夠提供平穩的電機運行和精確的控制。
3. 照明系統:現代LED照明系統需要穩定的電流控制和高效的電能轉換。FQD1N80在高效驅動LED燈具方面具有突出的性能,其高耐壓和低導通損耗特性,有助于提高照明系統的整體效率和壽命。
4. 逆變器:在逆變器應用中,需要將直流電轉換為交流電。FQD1N80憑借其出色的電流處理能力和耐壓特性,能夠穩定可靠地進行電能轉換,廣泛應用于光伏發電和不間斷電源(UPS)等領域。
5. 工業自動化:工業自動化設備對功率器件的性能要求極高,FQD1N80的高可靠性和高效性能,使其成為工業自動化控制系統中的關鍵元件,能夠在苛刻的工業環境中保持穩定運行。
二、參數特點:
- 高耐壓:FQD1N80具有800V的高耐壓能力,能夠在高壓環境下穩定工作,適用于各種高壓應用場景。
- 低導通電阻:FQD1N80的低導通電阻(RDS(on))特性,保證了在導通狀態下的低損耗,提高了整體電路的效率。
- 高開關速度:該MOSFET具備快速的開關速度,能夠在高頻應用中表現優異,滿足現代電子設備對高頻開關的需求。
- 高電流處理能力:FQD1N80能夠處理較高的電流,適用于大功率應用,確保電路在高負載條件下的穩定運行。
- 熱性能優良:FQD1N80設計具有良好的熱性能,能夠在高溫環境中保持可靠的性能,延長器件的使用壽命。
綜上所述,FQD1N80作為一款高性能的N溝道MOSFET,憑借其卓越的參數特點和廣泛的應用場景,成為電源轉換、電機控制、照明系統、逆變器以及工業自動化等領域的理想選擇。無論是在高壓、高頻還是高功率應用中,FQD1N80都能提供優異的性能和可靠的運行保障。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
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