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        MOS管FQD19N10L參數(shù)

        PD最大耗散功率:2.5WID最大漏源電流:15.6AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:100VRDS(ON)Ω內(nèi)阻:100MΩVRDS(ON)ld通態(tài)電流:7.8AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:1~2VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μAGfs(min)S跨導(dǎo):14SGfs(min)VDS漏源電壓:30VGfs(min)lo通態(tài)電流:7.8A

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          FQD19N10L是一種高效能的N溝道功率MOSFET,廣泛應(yīng)用于各種電子電路中,特別是在需要高效率和高可靠性的場合。本文將詳細(xì)介紹其應(yīng)用場景和參數(shù)特點(diǎn)。

          一、應(yīng)用場景:

          1. 電源管理:FQD19N10L在電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,常用于開關(guān)電源(SMPS)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源適配器中。其低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度能夠顯著提高轉(zhuǎn)換效率,減少能量損耗。

          2. 電動工具:在電動工具如電鉆、電鋸等設(shè)備中,FQD19N10L可以作為主開關(guān)器件,提供高效的電能傳輸和穩(wěn)定的性能,確保工具在高負(fù)載下仍能可靠工作。

          3. 汽車電子:FQD19N10L在汽車電子系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛,如在電動汽車的電池管理系統(tǒng)(BMS)和電子控制單元(ECU)中,能有效提升系統(tǒng)的可靠性和耐用性。

          4. 工業(yè)控制:在工業(yè)自動化設(shè)備中,FQD19N10L用于電機(jī)驅(qū)動和控制電路,能夠承受高電流和高電壓,提供穩(wěn)定的性能支持。

          5. 消費(fèi)電子:在消費(fèi)電子產(chǎn)品如智能手機(jī)、平板電腦等中,FQD19N10L被用作電源開關(guān)和保護(hù)電路,確保設(shè)備在各種操作條件下的安全和可靠性。

          二、參數(shù)特點(diǎn):

          - 低導(dǎo)通電阻(RDS(on)):FQD19N10L的導(dǎo)通電阻非常低,這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下?lián)p耗的功率較小,提升了整體系統(tǒng)的效率。具體來說,其典型值在10毫歐左右,這對于高效能應(yīng)用是非常重要的。

          - 高耐壓能力:FQD19N10L的擊穿電壓高達(dá)100V,能夠在較高的電壓條件下穩(wěn)定工作,適用于高電壓需求的電路設(shè)計。

          - 高脈沖電流能力:FQD19N10L能夠承受較高的脈沖電流,其最大脈沖電流可達(dá)120A,適用于需要短時高電流的應(yīng)用場合。

          - 快速開關(guān)速度:由于其設(shè)計優(yōu)化,FQD19N10L具有極快的開關(guān)速度,能夠在納秒級的時間內(nèi)完成開關(guān)動作,這對于需要高頻開關(guān)的電路非常關(guān)鍵。

          - 熱性能優(yōu)越:FQD19N10L的熱阻低,散熱性能優(yōu)越,確保在高功率運(yùn)行時,器件能夠保持較低的結(jié)溫,從而提升可靠性和壽命。

          通過以上的詳細(xì)描述,可以看出FQD19N10L在多個方面表現(xiàn)優(yōu)異,成為許多電子設(shè)計工程師的首選器件。在應(yīng)用過程中,選擇FQD19N10L可以顯著提升電路的性能和可靠性。

          地 址/Address

          工廠地址:安徽省六安市金寨產(chǎn)業(yè)園區(qū)
          深圳辦事處地址:深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
          中山辦事處地址:中山市古鎮(zhèn)長安燈飾配件城C棟11卡
          杭州辦事處:杭州市西湖區(qū)文三西路118號杭州電子商務(wù)大廈6層B座
          電話:13534146615 企業(yè)QQ:2881579535

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