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        場效應(yīng)MOS管FQD13N10參數(shù)

        PD最大耗散功率:2.5WID最大漏源電流:10AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:100VRDS(ON)Ω內(nèi)阻:0.18ΩVRDS(ON)ld通態(tài)電流:5AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:2~4VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA

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          FQD13N10是一種常見的N溝道MOSFET,它具有良好的導(dǎo)通性能和開關(guān)速度,廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。本文將詳細(xì)介紹FQD13N10的應(yīng)用場景和參數(shù)特點。

          一、應(yīng)用場景:

          1. 電源管理:FQD13N10常用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源中。它的低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性使其在提高效率和減少熱量方面表現(xiàn)出色。尤其在便攜式設(shè)備中,使用FQD13N10能夠延長電池壽命。

          2. 電機驅(qū)動:在小型電機驅(qū)動電路中,FQD13N10可以作為高效的開關(guān)器件。它能提供足夠的電流驅(qū)動電機,并在高頻開關(guān)操作下保持穩(wěn)定的性能。

          3. 負(fù)載開關(guān):FQD13N10也廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)。它的低導(dǎo)通電阻使其在開啟時能有效減少電壓降,從而提高系統(tǒng)效率。

          4. LED驅(qū)動:在LED照明應(yīng)用中,FQD13N10可以用于調(diào)節(jié)電流和電壓,確保LED穩(wěn)定工作,并延長其使用壽命。

          5. 音頻放大器:由于其低噪聲特性,FQD13N10還適用于高保真音頻放大器電路中,能夠提供清晰、無失真的音頻信號放大。

          二、參數(shù)特點:

          - 低導(dǎo)通電阻:FQD13N10的導(dǎo)通電阻僅為75mΩ,這意味著在開通過程中能量損耗很小,有助于提高系統(tǒng)的整體效率。

          - 高電流處理能力:FQD13N10的最大連續(xù)漏極電流為13A,能夠處理較大的電流需求,適用于需要高電流傳輸?shù)膽?yīng)用場合。

          - 高擊穿電壓:FQD13N10的漏源擊穿電壓為100V,適用于高壓環(huán)境,能夠承受較高的電壓應(yīng)力而不損壞。

          - 快速開關(guān)速度:FQD13N10具有極快的開關(guān)速度,典型的開通時間和關(guān)斷時間分別為10ns和40ns,適合高頻開關(guān)電路應(yīng)用。

          - 熱性能優(yōu)良:FQD13N10的結(jié)到環(huán)境的熱阻為62.5°C/W,具有良好的散熱性能,在高功率應(yīng)用中能有效控制溫升,確保器件的長期穩(wěn)定運行。

          綜上所述,FQD13N10以其低導(dǎo)通電阻、高電流處理能力、高擊穿電壓、快速開關(guān)速度和優(yōu)良的熱性能,成為眾多電子電路設(shè)計中的理想選擇。它在電源管理、電機驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)、LED驅(qū)動和音頻放大器等應(yīng)用場景中發(fā)揮了重要作用。

          地 址/Address

          工廠地址:安徽省六安市金寨產(chǎn)業(yè)園區(qū)
          深圳辦事處地址:深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
          中山辦事處地址:中山市古鎮(zhèn)長安燈飾配件城C棟11卡
          杭州辦事處:杭州市西湖區(qū)文三西路118號杭州電子商務(wù)大廈6層B座
          電話:13534146615 企業(yè)QQ:2881579535

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