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        場效應MOS管FQB13N50C參數

        PD最大耗散功率:195WID最大漏源電流:13AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:500VRDS(ON)Ω內阻:0.48ΩVRDS(ON)ld通態電流:6.5AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:2~4VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA

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          FQB13N50C是一款N溝道功率MOSFET(場效應晶體管),廣泛應用于各種電力電子設備中。本文將詳細介紹其應用場景和參數特點。

          一、應用場景:

          1. 電源轉換器:FQB13N50C常用于開關電源(SMPS)中的主開關管,能夠有效地實現電能轉換,提高系統效率。它在AC-DC和DC-DC轉換器中表現出色,適用于各種電子設備的電源管理。

          2. 電機驅動器:在電機驅動應用中,FQB13N50C用于控制電機的啟動、停止和速度調節。其高效的開關性能和低導通電阻使其在電動工具、電動車和工業自動化設備中得到廣泛應用。

          3. 不間斷電源(UPS):在UPS系統中,FQB13N50C用于電池管理和逆變器電路,通過高效的電能轉換和穩定的電流供應,確保在電力中斷時能夠持續供電,保護關鍵設備。

          4. 光伏逆變器:FQB13N50C在太陽能發電系統中的逆變器電路中起著關鍵作用,幫助將直流電轉換為交流電,提供穩定的電能輸出。這對于提升光伏系統的整體效率和可靠性至關重要。

          5. 音頻放大器:FQB13N50C在音頻放大器電路中用作功率放大元件,能夠提供高功率輸出,滿足高保真音響系統的需求。其出色的開關特性和低噪聲性能確保了音頻信號的清晰度和純凈度。

          二、參數特點:

          - 高耐壓:FQB13N50C的最大漏源電壓(Vds)為500V,使其能夠在高壓環境下穩定工作,適用于各種高壓應用場景。這一特點確保了在電力轉換和傳輸過程中能夠承受較大的電壓波動。

          - 低導通電阻:FQB13N50C的導通電阻(Rds(on))較低,典型值約為0.43Ω。這意味著在導通狀態下的功耗較低,有助于提升系統的整體效率,并減少發熱量。

          - 高電流能力:FQB13N50C的最大連續漏極電流(Id)為13A,能夠承受較大的電流,通過優化設計,可以在大功率應用中提供穩定的電流輸出。

          - 快速開關速度:FQB13N50C具有快速的開關速度,其典型的開關時間(tON和tOFF)分別為10ns和50ns。這一特點使其在高頻應用中表現優異,能夠實現高效的能量轉換和傳輸。

          - 增強型設計:FQB13N50C采用了增強型設計,具有較高的抗擊穿能力和可靠性,能夠在惡劣的工作環境中穩定運行。這種設計確保了在長時間高負荷工作時依然保持良好的性能。

          綜上所述,FQB13N50C憑借其高耐壓、低導通電阻、高電流能力、快速開關速度以及增強型設計,成為電力電子領域中廣泛應用的高性能元器件。在電源轉換器、電機驅動器、UPS、光伏逆變器和音頻放大器等應用中,FQB13N50C展示了其出色的性能和可靠性,為各類電力電子設備的高效運行提供了堅實的保障。

          地 址/Address

          工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
          深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
          中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
          杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
          電話:13534146615 企業QQ:2881579535

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