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        場效應MOS管FQB13N10L參數

        PD最大耗散功率:65WID最大漏源電流:12.8AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:100VRDS(ON)Ω內阻:0.18ΩVRDS(ON)ld通態電流:6.5AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:1~2VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA

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          FQB13N10L是一款N溝道功率MOSFET,其應用場景廣泛,主要包括以下幾個方面:

          一、應用場景:

          1. 電源管理:FQB13N10L常用于各種電源管理應用中,如DC-DC轉換器、AC-DC電源適配器和不間斷電源(UPS)。其低導通電阻和高效的開關性能使其在高效能電源設計中大放異彩,能夠有效降低能耗并提升整體系統的效率。

          2. 電機控制:在電機控制領域,FQB13N10L被廣泛應用于電動機驅動器和控制器中。其出色的開關速度和低導通損耗,使其能夠提供精準的電流控制和高效的功率傳輸,從而提高電機的響應速度和運行效率。

          3. 電池管理系統:FQB13N10L在電池管理系統(BMS)中也有著重要的應用,特別是在電動汽車和儲能系統中。其高可靠性和高效能的電流處理能力,能夠保證電池組在充放電過程中的穩定性和安全性,延長電池壽命并提升整體系統的性能。

          4. 負載開關:作為負載開關,FQB13N10L被應用于各種電子設備和工業控制系統中。其快速響應時間和低導通電阻,使其能夠高效地管理和控制不同負載的接通與斷開,從而優化系統的能耗和可靠性。

          5. 照明系統:在LED照明系統中,FQB13N10L可以用作開關元件,控制LED的亮度和開關狀態。其低功耗和高效能開關特性,使其能夠在不犧牲性能的前提下,提供更加節能和環保的照明解決方案。

          二、參數特點:

          - 低導通電阻:FQB13N10L的導通電阻非常低,僅為0.13Ω,這意味著在大電流通過時,損耗會非常小,從而提高了整個電路的效率。這一特性在高效能電源管理和電動機控制應用中尤為重要。

          - 高擊穿電壓:FQB13N10L具有100V的高擊穿電壓,使其能夠在高電壓環境下穩定工作,適用于各種高壓應用場景。這一特性為設計人員提供了更大的靈活性和安全裕度。

          - 快速開關速度:FQB13N10L具有極快的開關速度,這使得它在高頻開關電路中能夠有效降低開關損耗,提高系統的整體效率。其快速的開關性能對于電源轉換和高頻電路設計尤為關鍵。

          - 高輸入電容:FQB13N10L的輸入電容為1450pF,這對于其在高頻開關中的性能表現至關重要。高輸入電容可以保證在高頻操作下的穩定性和可靠性,避免了高頻信號的損失。

          - 低柵極電荷:FQB13N10L的柵極電荷僅為32nC,這意味著它需要較低的驅動電流即可完全開啟和關閉。低柵極電荷特性不僅有助于降低驅動電路的功耗,還提高了開關速度和效率。

          通過以上對FQB13N10L的應用場景和參數特點的詳細介紹,可以看出這款N溝道功率MOSFET在各種高效能和高可靠性的電子應用中都具有重要的地位和優勢。無論是在電源管理、電機控制還是電池管理系統中,FQB13N10L都能提供優越的性能和可靠的解決方案。

          地 址/Address

          工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
          深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
          中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
          杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
          電話:13534146615 企業QQ:2881579535

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