PD最大耗散功率:479WID最大漏源電流:28AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:500VRDS(ON)Ω內阻:0.2ΩVRDS(ON)ld通態電流:14AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:2~4VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μAGfs(min)S跨導:26SGfs(min)VDS漏源電壓:40VGfs(min)lo通態電流:14A
立即咨詢一、應用場景:
1. 通信設備:FQA28N50在通信設備中用于電源轉換和功率控制。例如,在無線基站、路由器以及其他網絡設備中,可以作為開關管,保證電能轉換效率和穩定性。
2. 汽車電子:在電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)的電動驅動系統中,FQA28N50作為電動機驅動器的一部分,控制電機的功率輸出,實現車輛的高效動力傳輸。
3. 工業控制:FQA28N50可用于工業控制和自動化系統中的電源管理和功率控制。例如,用于電壓調節器、電流控制器和電機驅動器,實現精準的控制和穩定的性能。
4. 電源轉換器:FQA28N50在各種電源轉換器中廣泛應用,如開關電源、逆變器和DC-DC變換器,以實現高效的電能轉換。
5. LED照明:FQA28N50可用于LED照明系統中的電源管理和控制,確保LED燈具的穩定工作和高效能耗。
二、參數特點:
一、低導通電阻:FQA28N50具有低導通電阻,能夠在導通狀態下實現低功耗傳輸電能。
二、高耐壓能力:這款MOSFET晶體管具有高耐壓能力,能夠承受較高的電壓而不損壞。
三、低開啟電阻:FQA28N50具有低開啟電阻,有助于減少功率損耗并提高系統效率。
四、快速開關速度:FQA28N50具有快速的開關速度,能夠快速響應控制信號,實現高效的功率控制。
五、良好的熱特性:FQA28N50在高溫環境下能夠保持穩定的性能,確保長時間穩定運行。
綜上所述,FQA28N50作為一款高性能的MOSFET晶體管,適用于各種電源管理和功率控制應用。其優異的參數特點使得它成為這些應用中的理想選擇,能夠確保系統穩定運行并提高能源利用效率。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
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