PD最大耗散功率:0.5WID最大漏源電流:1.7AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:20VRDS(ON)Ω內阻:0.7ΩVRDS(ON)ld通態電流:1.7AVRDS(ON)柵極電壓:4.5VVGS(th)V開啟電壓:0.4~1.5VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
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一、應用場景:
1. 電源管理:FDN335N常被用于電源管理系統中,特別是在低電壓和低功耗需求下。其低導通電阻和高開關速度使其成為電源開關和電池管理器的理想選擇。
2. 電機驅動:在小型電機控制電路中,FDN335N可以作為電機的開關器件,實現高效的電機驅動,同時具有低功耗和快速響應的特點。
3. LED照明:LED照明系統需要高效的電源管理和穩定的電流控制,FDN335N可用作LED驅動器中的開關元件,幫助實現LED照明系統的節能和穩定性。
4. 電池保護:在便攜式電子設備中,如智能手機、平板電腦等,FDN335N常用于電池保護電路中,通過控制充放電過程,保護電池免受過電流和過放電的損害。
5. 電子開關:在各種電子開關應用中,如USB電源管理、電池充放電控制等,FDN335N的高可靠性和低功耗特點使其成為理想的選擇。
二、參數特點:
1. 低導通電阻: FDN335N具有非常低的導通電阻,通常在幾歐姆以下,這使得在導通狀態下功耗極低,同時也減小了開關時的能量損耗。
2. 低門電壓:該型號的門極電壓較低,通常在幾伏以下,這使得其在邏輯電平控制下可以實現快速可靠的開關操作。
3. 高開關速度:FDN335N具有較快的開關速度,可以迅速響應控制信號,實現高效的電源管理和電路控制。
4. 溫度穩定性:在不同溫度下,FDN335N的性能表現穩定,能夠在較寬的溫度范圍內工作,適用于各種環境條件下的應用。
5. 小型封裝:該型號通常采用SOT-23封裝,體積小巧,便于在各種電路板上進行布局和安裝,特別適用于緊湊型電子設備的設計。
綜上所述,FDN335N作為一款性能穩定、功耗低、可靠性高的MOSFET型號,廣泛應用于電源管理、電機驅動、LED照明、電池保護和電子開關等領域,為現代電子設備的性能提升和能耗降低做出了重要貢獻。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
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