PD最大耗散功率:395WID最大漏源電流:265AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:60VRDS(ON)Ω內阻:0.0024ΩVRDS(ON)ld通態電流:75AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:2.5~4.5VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
立即咨詢一、應用場景:
1. 電源管理:FDB024N06常用于電源管理系統中,特別是在直流-直流轉換器和電池管理系統中。這些系統需要高效的電流傳輸和低功耗,FDB024N06能夠提供低導通電阻和快速開關特性,滿足這些需求。
2. 汽車電子:在汽車電子領域,FDB024N06被用于發動機控制單元、車載充電器和電動助力轉向系統。其耐高溫和高壓的特點使其在苛刻的汽車環境中表現優越。
3. 電機控制:FDB024N06適用于各種電機驅動應用,如直流電機和步進電機控制。這種MOSFET的高電流處理能力和低導通電阻使其能夠高效地控制電機運行,減少能量損失。
4. 消費電子:在筆記本電腦、智能手機等消費電子設備中,FDB024N06常被用作電源開關和負載開關。這些設備要求元件具有小體積和高效率,FDB024N06完全符合這些要求。
5. 工業控制:工業控制系統中需要可靠性高且能夠處理大功率的元件,FDB024N06的耐用性和高效性能使其成為理想選擇。它廣泛應用于PLC控制器和工業自動化設備中。
二、參數特點:
- 低導通電阻:FDB024N06的導通電阻(RDS(on))非常低,這意味著它在工作過程中產生的功率損耗較小,提高了系統的整體效率。具體參數為0.024歐姆(最大值)。
- 高電流處理能力:該MOSFET能夠處理高達60A的連續漏極電流(ID),適用于大電流應用場景。這一特點使其在電動工具和電機驅動中廣受歡迎。
- 耐高壓:FDB024N06的漏源極電壓(VDSS)為60V,這使其在需要處理高電壓的應用中表現出色,確保了設備的安全和穩定運行。
- 快速開關速度:由于其低柵極電荷(Qg),FDB024N06能夠快速開關,減少了切換損耗。具體Qg參數為75nC,這對高頻應用尤為重要。
- 熱性能優異:FDB024N06具有較高的結溫(TJ)和結殼熱阻(RθJC)參數,最大結溫為175°C,RθJC為0.7°C/W。這些特點確保了它在高溫環境下仍能穩定工作,延長了設備的使用壽命。
通過以上對FDB024N06應用場景和參數特點的詳細介紹,可以看出該元件在多個領域具有廣泛的應用前景,并且其優秀的參數特點使其在各種應用中表現出色。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
電話:13534146615
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