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        場效應MOS管DMN3016LK3參數

        PD最大耗散功率:1.6WID最大漏源電流:12.4AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:30VRDS(ON)Ω內阻:0.012ΩVRDS(ON)ld通態電流:11AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:1.3~2.3VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA

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          DMN3016LK3是一款常用于多種應用場景的N溝道MOSFET,憑借其卓越的性能特點在電子電路設計中廣泛應用。以下將詳細介紹DMN3016LK3的應用場景和參數特點。

          一、應用場景:

          1. 電源管理:DMN3016LK3常用于電源管理電路,如開關電源和DC-DC轉換器中。其低導通電阻和高效的開關性能使其在這些應用中能夠有效地減少功耗,提高系統效率。

          2. 電機驅動:在電機驅動電路中,DMN3016LK3可以用于控制電機的啟停和速度調節。其高電流處理能力和快速開關特性,使其在電機驅動應用中表現出色。

          3. LED照明:DMN3016LK3在LED驅動電路中也有廣泛應用。其高效的電流控制能力和低熱阻,使其能夠在驅動大功率LED時保持高效且穩定的運行。

          4. 負載開關:作為負載開關,DMN3016LK3可用于各種電子設備的電源控制。這包括筆記本電腦、平板電腦和智能手機等設備,在這些設備中,穩定的電源控制對于設備的整體性能至關重要。

          5. 信號放大:在一些信號放大應用中,DMN3016LK3可以用作放大器的關鍵元件。其低噪聲和高增益特性,使其能夠在信號放大電路中提供清晰和準確的信號輸出。

          二、參數特點:

          - 低導通電阻:DMN3016LK3具有極低的導通電阻(R_DS(on)),在10V時為50毫歐。這種低導通電阻能夠減少電路中的功耗,提高整體效率。

          - 高開關速度:DMN3016LK3的開關速度非???,其開關時間(t_on和t_off)分別為11ns和14ns。這使得它在高頻應用中能夠快速響應,從而提高系統的整體性能。

          - 高電流處理能力:DMN3016LK3能夠處理高達3.5A的連續漏極電流(I_D),這使其適用于需要高電流處理能力的應用,如電機驅動和電源管理電路。

          - 耐高壓:DMN3016LK3具有較高的漏源極耐壓(V_DS),最高可達30V。這種高耐壓特性使其在需要高耐壓能力的應用中非??煽?。

          - 低熱阻:DMN3016LK3的熱阻(R_thJA)僅為150°C/W,這意味著在高功率應用中,它能夠有效散熱,保持穩定的工作溫度,從而提高其可靠性和使用壽命。

          綜上所述,DMN3016LK3作為一款高性能的N溝道MOSFET,憑借其低導通電阻、高開關速度、高電流處理能力、耐高壓和低熱阻等優點,在電源管理、電機驅動、LED照明、負載開關和信號放大等多個領域都有廣泛應用。其優異的參數特點,使其在各種應用場景中能夠提供高效、穩定和可靠的性能。

          地 址/Address

          工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
          深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
          中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
          杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
          電話:13534146615 企業QQ:2881579535

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