極性:NPNPCN(mw)功率:300mwlc(mA)電流:600mABVCBO(V)集電極-基極電壓:180VBVCEO(V)集電極-發射極電壓:160VBVEBO(V)發射極-基極電壓:6VhFE(min)最小放大倍數:100hFE(max)最大放大倍數:300hFEVce(v)集電極與發射極電壓:5VhFElc(mA)集電極電流:10mAVCE(Sat)V集電極-發射極飽和電壓:0.5VVCE(Sat)lc(mA)電極電流:50mAlB(mA)基極電流:5mAFt(MHZ)頻率:80MHZ
立即咨詢一、應用場景
1.電路:MMBT5551廣泛應用于電子設備的低功率電路、自動化設備、電源管理中的較低基數,以及電源管理電流可以驅動較高的負載。
2.高頻放大器:由于其高工作頻率和低電容,MMBT5551可用于射頻(RF)放大器和用于通信設備和高頻信號連接的高頻信號處理電路。
3.電壓轉換器:廣泛應用于一些需要驅動高壓信號的小型DC-DC轉換器電路,可以有效地實現信號轉換和調節。
4.保護電路:可用MMBT5551作為保護元件來防止這種情況發生。
二、參數特點
-集電極-發射極電壓(Vceo)為160V:這種高電壓特性可在高電壓應用中實現卓越的性能,適用于高壓電路和信號放大。
-最大集電極電流為600mA:雖然MMBT5551可以處理更高的電壓,但其電流容量相對較低,適合小電流負載。這使得它適合需要穩定功率控制的情況,例如信號放大。
-優異的高頻特性:該器件具有低寄生電容和高頻響應(通常在100MHz左右),使其適合用于高頻和高速信號處理電路。
-低功耗:MMBT5551的功耗能力為625mW。雖然不適合高功率應用,但它們可以在低功耗電路中,特別是便攜式設備和低功耗設計中提供良好的性能并有效節省能源。
-TO-92和SOT-23封裝:提供傳統的TO-92封裝和更小的SOT-23封裝。您可以根據您的空間和散熱要求選擇合適的外殼形狀。這使得它適用于大型和簡單的板載應用程序,也可以集成到緊湊型設備中。
綜上所述,MMBT5551是一款適用于高頻應用的高電壓、低電流、小信號NPN晶體管。它特別適用于電路、高頻放大器和電壓轉換器,其參數特性使其非常適合高頻、高壓和小電流器件。
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