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PD最大耗散功率：300WID最大漏源電流：-130AV(BR)DSS漏源擊穿電壓：-50VRDS(ON)Ω內(nèi)阻：10MΩVRDS(ON)ld通態(tài)電流：-0.1AVRDS(ON)柵極電壓：-5VVGS(th)V開(kāi)啟電壓：-0.8~-2VVGS(th)ld(μA)開(kāi)啟電流：-250μAGfs(min)S跨導(dǎo)：0.05SGfs(min)VDS漏源電壓：-25VGfs(min)lo通態(tài)電流：-0.1A
立即咨詢一、應(yīng)用場(chǎng)景
1.負(fù)載開(kāi)關(guān)和電源管理：BSS84常用于負(fù)載開(kāi)關(guān)和電源管理電路，特別適合低電壓和小電流應(yīng)用。其P溝道特性允許柵極電壓直接由控制信號(hào)提供，從而簡(jiǎn)化了高側(cè)開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，無(wú)需額外的電平轉(zhuǎn)換。
2.邏輯電平轉(zhuǎn)換：BSS84具有P溝道特性，可用于邏輯電平轉(zhuǎn)換電路，以實(shí)現(xiàn)不同電壓域之間的通信。這在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中非常有用，特別是在微控制器和外部傳感器或執(zhí)行器之間進(jìn)行通信時(shí)。
3.LED驅(qū)動(dòng)電路：BSS84也可用于驅(qū)動(dòng)小功率LED。在此應(yīng)用中，它可以用作低側(cè)或高側(cè)開(kāi)關(guān)來(lái)控制LED的開(kāi)/關(guān)，其低導(dǎo)通電阻可以有效降低功耗并改善電路效率。
4.反接保護(hù)電路：當(dāng)需要防止電源反接時(shí)，BSS84由于其P溝道特性，可以將電源的正負(fù)極接反。如果電源正負(fù)極接反，MOSFET將不會(huì)導(dǎo)通，從而保護(hù)下游電路免受損壞。
二、參數(shù)特點(diǎn)
- 漏源電壓（Vds）：BSS84的最大漏源電壓為-50V，可以承受高達(dá)50V的反向電壓，適合一些中壓應(yīng)用。
- 導(dǎo)通電阻：標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻（Rds(on)）約為5歐姆，介于-2V和-4V之間，可以用較低的柵源電壓導(dǎo)通，適合低壓控制器或邏輯電路。
- 最大電流：BSS84的最大連續(xù)電流為-170mA，適合低電流控制應(yīng)用，例如信號(hào)開(kāi)關(guān)和低功率負(fù)載驅(qū)動(dòng)器。
- 開(kāi)關(guān)速度：高開(kāi)關(guān)速度允許在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中使用，有助于減少延遲并提高系統(tǒng)動(dòng)態(tài)性能。
總的來(lái)說(shuō)，BSS84是一種低導(dǎo)通電阻、中壓電阻、快速開(kāi)關(guān)的小信號(hào)P溝道MOSFET，廣泛應(yīng)用于電源管理、邏輯電平轉(zhuǎn)換、LED驅(qū)動(dòng)和反極性保護(hù)領(lǐng)域。BSS84能夠有效簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)并提高系統(tǒng)效率和可靠性。
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