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        MOS管場效應管AO4468參數

        FET 類型N 溝道
        技術MOSFET(金屬氧化物)
        漏源電壓(Vdss)30V
        電流 - 連續漏極(Id)25°C時10.5A(Ta)
        驅動電壓最大Rds On最小Rds On4.5V,10V
        不同 Id,Vgs時的Rds On最大值14 毫歐 @ 11.6A,10V
        不同 Id 時的 Vgs(th)最大值3V @ 250µA
        不同 Vgs時的柵極電荷Qg最大值24nC @ 10V
        Vgs(最大值)±20V
        不同Vds時的輸入電容Ciss最大值1200pF @ 15V
        FET 功能-
        功率耗散(最大值)3.1W(Ta)
        工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
        安裝類型表面貼裝
        供應商器件封裝8-SOIC
        封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
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          AO4468是雙N溝道MOSFET,由于其低導通電阻和高效率而應用于各種電子電路。

          一、應用場景

          1. 電源管理:AO4468在DC-DC轉換器、開關電源、配電電路中發揮著重要作用。低導通電阻降低了功耗,使其特別適合具有高頻率和效率要求的設計。例如,AO4468適用于筆記本電腦、服務器和通信設備中的電源管理系統。這些案例對能效有更高的要求,AO4468的低損耗特性有效降低整體功耗、延長電池壽命、降低熱設計復雜度。

          2. 負載開關:在負載開關應用中,AO4468可用于控制電源開關狀態,廣泛應用于智能設備和家用電器中。該器件的導通電阻非常低,可最大限度地降低負載切換期間的功耗,而其高耐壓和過壓保護功能使其適合用于電池供電的便攜式設備,實現穩定的開關性能。

          3. 電機驅動:AO4468還適合驅動無人機、電動工具和家用電器中常用的小型直流電機。高速開關能力提高了電機驅動效率并優化了電機控制響應能力。同時,設備的耐用性和可靠性滿足長期運行的要求,有利于提高產品的使用壽命。

          4. 其他常見應用: AO4468還適用于高頻電路、照明驅動器和USB-C接口等常見應用。其高可靠性和高效率保證了各種場景下的穩定性和性能,使其適合各種小型、輕量化、高密度的設計電路。

          二、參數特點

          - 低導通電阻:AO4468具有低導通電阻,典型值為4.5mΩ(VGS=10V時)。低導通電阻不僅可以降低功率損耗,還可以提高系統效率。適用于需要嚴格功耗管理的設備。

          - 高柵極驅動電壓:該器件具有寬柵極驅動電壓范圍,通常為2.5V至10V。這意味著AO4468在低電壓下工作。它可以在所有條件下穩定運行,適合多種應用場合。適用于電源電壓波動較大的場合,高壓下提供更強的開關能力,電流容量大(高達13A),脈沖模式下電流容量更大,適合大電流應用。

          - 高頻開關性能:AO4468具有快速開關速度和低損耗,使其適合高頻應用,例如高頻DC-DC轉換器和高頻驅動電路。根據頻率環境,該器件可以有效降低開關損耗并提高整體效率。

          - 高溫穩定性:AO4468在高溫環境下的優異性能使其非常適合需要高響應的電路的高速開關應用。結溫可達150°C。這意味著AO4468即使在高溫工作條件下也能保持較低的導通損耗和穩定的功率傳輸,保證整個電路的可靠運行。

          總的來說,AO4468由于其低導通電阻、高頻開關性能和寬電壓工作范圍,適用于各種電源管理、負載開關、電機驅動和通用電子電路。其高效率和穩定性不僅有助于優化電路設計,而且可以在各種應用環境中提供可靠的電流調節。

          地 址/Address

          工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
          深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
          中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
          杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
          電話:13534146615 企業QQ:2881579535

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