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        MOS管AO4435參數(shù)

        PD最大耗散功率:3.1WID最大漏源電流:-10AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:-30VRDS(ON)Ω內(nèi)阻:18MΩVRDS(ON)ld通態(tài)電流:-10AVRDS(ON)柵極電壓:-10VVGS(th)V開啟電壓:-1.7~-3VVGS(th)ld(μA)開啟電流:-250μAGfs(min)S跨導(dǎo):22SGfs(min)VDS漏源電壓:-5VGfs(min)lo通態(tài)電流:-10A

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          AO4435是常用的P溝道MOSFET,廣泛應(yīng)用于各種電源管理和開關(guān)電路中。其參數(shù)特性使其適合電力系統(tǒng)中的低壓應(yīng)用。

          一、應(yīng)用場景

          1.斷路器管理:AO4435因其低導(dǎo)通電阻(RDS(on))而得到有效使用。由于減少了線路損耗,它被廣泛用于控制低壓開關(guān)操作。電源、各種電池管理系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)電池負(fù)載切換,以確保降壓和升壓轉(zhuǎn)換器中的高效能量傳輸,尤其是在低輸入電壓下。低閾值電壓 (VGS(th)) 即使在小信號(hào)控制下也能實(shí)現(xiàn)高效開關(guān),使其適用于便攜式電子設(shè)備中的小型功率轉(zhuǎn)換模塊。

          2.電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路:AO4435可作為核心開關(guān)器件,控制電機(jī)的啟動(dòng)和停止。低傳導(dǎo)損耗在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中尤為重要,可有效降低電機(jī)啟動(dòng)期間的功耗并保持該期間的低發(fā)熱量。

          3.USB接口電源保護(hù):AO4435廣泛應(yīng)用于USB接口電源保護(hù)電路,可以提供過流和反向電流保護(hù),防止連接USB設(shè)備時(shí)突然出現(xiàn)的浪涌電流導(dǎo)致系統(tǒng)損壞。

          4.負(fù)載電路:在多通道負(fù)載選擇和開關(guān)電路中,AO4435由于其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度,可以提供高效的負(fù)載開關(guān),特別是在需要精確控制的情況下,例如:LED驅(qū)動(dòng)器和音頻放大器電路。

          二、參數(shù)特點(diǎn)

          - 低導(dǎo)通電阻:AO4435的導(dǎo)通電阻非常低,典型值為4.5V柵極驅(qū)動(dòng)電阻為27mΩ。

          - 低柵極閾值電壓:AO4435的典型值為1V至3V,這意味著它通常在較低的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下運(yùn)行,適用于電池供電的便攜式設(shè)備并降低控制電路要求。

          - 最大漏極電流:AO4435的最大漏極電流為-13A,適合需要高電流處理能力的電路,如電動(dòng)工具和功率放大器的能源管理。

          - 耐壓:AO4435的最大漏源電壓為-30V,適合在低壓網(wǎng)絡(luò)中使用,并在移動(dòng)設(shè)備和通信設(shè)備等領(lǐng)域提供可靠的性能。

          - 封裝類型:AO4435通常采用SO-8封裝,尺寸小且熱性能良好,適合高密度電路設(shè)計(jì)。

          - 開關(guān)速度快:AO4435開關(guān)速度快,適合高頻電路應(yīng)用,尤其在DC-DC轉(zhuǎn)換器等需要高開關(guān)效率的場景中表現(xiàn)優(yōu)異。

          總結(jié):AO4435具有低導(dǎo)通電阻、低柵極閾值電壓和高漏極電流,非常適合開關(guān)管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、USB電源保護(hù)等領(lǐng)域,確保高功率和可靠性。

          地 址/Address

          工廠地址:安徽省六安市金寨產(chǎn)業(yè)園區(qū)
          深圳辦事處地址:深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
          中山辦事處地址:中山市古鎮(zhèn)長安燈飾配件城C棟11卡
          杭州辦事處:杭州市西湖區(qū)文三西路118號(hào)杭州電子商務(wù)大廈6層B座
          電話:13534146615 企業(yè)QQ:2881579535

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