PD最大耗散功率:1.9WID最大漏源電流:43.4AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:30VRDS(ON)Ω內阻:0.022ΩVRDS(ON)ld通態電流:12AVRDS(ON)柵極電壓:4.5VVGS(th)V開啟電壓:1~2VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
立即咨詢一、應用場景:
1. 電源管理:UTD36N03L-TN3-R在電源管理系統中發揮重要作用,特別是在開關電源和直流轉換器中。它具有高效的開關速度和低導通電阻,使其能夠有效地控制電流流動,提升電源效率。
2. 電機控制:在電機控制應用中,UTD36N03L-TN3-R的高電流承載能力和快速響應時間非常適合。無論是用于工業電機驅動還是家庭電器中的小型電機,這款MOSFET都能提供精確的控制和高效的能量傳輸。
3. 電動汽車:隨著電動汽車市場的快速發展,UTD36N03L-TN3-R在電動汽車電池管理系統和動力控制系統中有著重要應用。其高效能和可靠性能夠滿足電動汽車對高性能電子元件的嚴格要求。
4. 消費電子:UTD36N03L-TN3-R也廣泛應用于各種消費電子產品中,如智能手機、平板電腦和筆記本電腦的電池管理和電源控制模塊。其小尺寸和高效能使其成為這些便攜式設備的理想選擇。
5. 太陽能發電:在太陽能發電系統中,UTD36N03L-TN3-R被用于逆變器和功率優化器中。其高效率和低損耗特性幫助提高整個系統的能源轉換效率。
二、參數特點:
- 低導通電阻:UTD36N03L-TN3-R擁有極低的導通電阻,這意味著它在導通狀態下能夠提供較低的能量損耗,從而提高整個電路的效率。
- 高電流承載能力:UTD36N03L-TN3-R能夠承載高達36安培的電流,使其適用于需要高電流的應用場景,如電機驅動和大功率轉換器。
- 快速開關速度:該型號的MOSFET具有極快的開關速度,能夠在極短的時間內完成開關操作,從而適用于高頻率的開關電源和信號調制應用。
- 耐高壓:UTD36N03L-TN3-R具有30伏的耐壓能力,能夠在較高電壓環境下穩定工作,適應各種高壓應用需求。
- 高可靠性:該型號的MOSFET采用了先進的制造工藝和材料,具有高可靠性和長壽命,能夠在嚴苛的工作環境下保持穩定性能。
綜上所述,UTD36N03L-TN3-R以其優異的參數特點和廣泛的應用場景,成為現代電子設備和電力系統中的重要元件。其低導通電阻、高電流承載能力、快速開關速度、耐高壓和高可靠性,使其在各種高性能應用中表現出色。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
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