PD最大耗散功率:1WID最大漏源電流:-1.7AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:-60VRDS(ON)Ω內阻:0.17ΩVRDS(ON)ld通態電流:-0.75AVRDS(ON)柵極電壓:-10VVGS(th)V開啟電壓:-2~-4VVGS(th)ld(μA)開啟電流:-1000μA
立即咨詢一、應用場景:
1. 開關電源:UT2955L-TN3-R常用于開關電源的設計中,特別是DC-DC轉換器中。其低導通電阻和高電流處理能力使其在高效能的電源轉換中表現出色,能有效減少能量損耗,提高轉換效率。
2. 電動汽車控制器:在電動汽車的電池管理系統(BMS)和電動機控制器中,UT2955L-TN3-R由于其高可靠性和高效能,被廣泛應用于電池的充放電控制以及電動機的驅動電路中。
3. 照明控制:UT2955L-TN3-R適用于LED照明驅動電路中。其高效能和穩定性能夠確保LED燈具在長時間工作中保持穩定的電流輸出,從而延長LED的使用壽命。
4. 逆變器:在太陽能逆變器和不間斷電源(UPS)系統中,UT2955L-TN3-R用于功率轉換部分。其高效率和低導通電阻特性能夠大幅提高系統的整體效率,減少熱量的產生。
5. 充電設備:UT2955L-TN3-R還廣泛應用于各種充電器和充電樁中,尤其是快速充電設備中。其大電流處理能力和低導通損耗,使得充電設備能夠高效地將電能傳輸到電池中。
二、參數特點:
- 低導通電阻:UT2955L-TN3-R的導通電阻(Rds(on))非常低,通常在毫歐級別。這使其在導通時的損耗很小,從而提高了電路的整體效率。
- 高電流處理能力:UT2955L-TN3-R具有較高的電流處理能力,最大連續漏極電流可以達到數十安培。這使其適用于需要大電流傳輸的應用場景。
- 高擊穿電壓:UT2955L-TN3-R的漏源極擊穿電壓(Vdss)較高,通常在30V以上。這使其能夠在較高電壓的應用中保持穩定的工作狀態。
- 快速開關速度:UT2955L-TN3-R具有較快的開關速度,開關時間通常在納秒級別。這對于高頻開關電路來說,是一個重要的優勢,能夠顯著提高電路的工作頻率和響應速度。
- 可靠性高:UT2955L-TN3-R具有較高的可靠性和穩定性,能夠在惡劣的工作環境下長時間穩定運行,減少了維護和更換的成本。
綜上所述,UT2955L-TN3-R作為一種高性能的P溝道功率MOSFET,在多種應用場景中都表現出色,具有低導通電阻、高電流處理能力、高擊穿電壓、快速開關速度和高可靠性等顯著特點。這些特性使其成為各種電源管理和轉換電路中的理想選擇。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
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