PD最大耗散功率:20.8WID最大漏源電流:-8.2AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:-60VRDS(ON)Ω內阻:0.155ΩVRDS(ON)ld通態電流:-5AVRDS(ON)柵極電壓:-10VVGS(th)V開啟電壓:-1~-3VVGS(th)ld(μA)開啟電流:-250μA
立即咨詢
一、應用場景:
1. 電源管理:SUD08P06-155L-GE3常用于電源管理電路中,例如開關電源和直流-直流轉換器。這是因為它具有低導通電阻和高效的開關特性,能夠有效減少功率損耗,提高系統效率。
2. 電機驅動:在電機控制應用中,SUD08P06-155L-GE3被用于控制電機的開關和調速。這種MOSFET能夠提供高電流能力,確保電機在高負載下仍能穩定運行。
3. 電池管理系統:在電池管理系統中,SUD08P06-155L-GE3被用作保護和開關元件。它能在檢測到過載或短路時快速斷開電路,從而保護電池和其他重要元件。
4. 通信設備:通信設備中的射頻和信號處理電路也常常使用SUD08P06-155L-GE3。其快速的開關速度和低損耗特性使其成為高頻應用的理想選擇。
5. 消費電子:在如筆記本電腦、智能手機等消費電子產品中,SUD08P06-155L-GE3用于各種電源管理和電源分配電路中,確保設備的高效和穩定運行。
二、參數特點:
- 低導通電阻:SUD08P06-155L-GE3的導通電阻(RDS(on))非常低,僅為0.155Ω(最大值)。這使其在導通狀態下具有極低的功率損耗,提高了整體電路的效率。
- 高電流能力:SUD08P06-155L-GE3能夠承載高達60A的連續漏極電流(ID),這使其適合高功率應用,能夠在大電流條件下穩定工作。
- 高耐壓能力:SUD08P06-155L-GE3具有60V的漏源極電壓(VDS)耐受能力,適用于多種電壓范圍的應用,確保電路在高壓條件下的安全性和可靠性。
- 快速開關速度:SUD08P06-155L-GE3的開關速度非常快,其典型開關時間僅為幾納秒。這樣的特性使其在高頻應用中表現出色,減少了開關損耗和電磁干擾。
- 封裝形式:SUD08P06-155L-GE3采用了標準的TO-252封裝,這種封裝形式不僅有助于熱量管理,還易于安裝和替換,適合各種PCB設計需求。
綜上所述,SUD08P06-155L-GE3憑借其優異的性能參數和廣泛的應用場景,成為了電源管理、電機驅動、電池管理系統、通信設備以及消費電子等領域的理想選擇。這款MOSFET不僅能夠提高系統效率,還能確保電路的穩定性和可靠性。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
電話:13534146615
企業QQ:2881579535

深圳市壹芯微科技有限公司 版權所有 | 備案號:粵ICP備2020121154號