PD最大耗散功率:2.62WID最大漏源電流:12.4AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:30VRDS(ON)Ω內阻:0.01ΩVRDS(ON)ld通態電流:30AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:1.5~2.5VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
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一、應用場景:
1. 電源管理:NTD4810NT4G常用于電源管理系統中,尤其是在DC-DC轉換器和AC-DC電源供應器中。它能夠有效地調節電壓和電流,從而提供穩定的電源輸出。
2. 電機控制:在電機控制系統中,NTD4810NT4G用于控制電機的啟動、停止和速度調節。其高效的開關特性使其能夠快速響應控制信號,確保電機運行的精確性和穩定性。
3. 電池管理系統:在便攜式設備和電動汽車的電池管理系統中,NTD4810NT4G用于電池充放電的控制。它的高電流承載能力和低導通電阻使其在高效電池管理中發揮重要作用。
4. 照明系統:NTD4810NT4G也常用于LED驅動電路中。其高效率和低熱損耗特性使其能夠在高亮度和長壽命的LED照明應用中提供可靠的性能。
5. 計算和通訊設備:在計算機和通訊設備中,NTD4810NT4G用于主板和其他關鍵電路的電源管理。其快速開關速度和高效能保證了設備的可靠運行。
二、參數特點:
- 低導通電阻(RDS(on)):NTD4810NT4G的導通電阻極低,通常為5毫歐姆左右。這意味著在導通狀態下,電流通過MOSFET時產生的壓降和功率損耗非常小,有助于提高電路的整體效率。
- 高電流承載能力:NTD4810NT4G能夠承載高達50安培的連續漏極電流(ID),這使其適用于大電流應用場景,如電機驅動和電源管理。
- 耐高壓:NTD4810NT4G的漏源極耐壓(VDSS)為100伏特。這使其在高壓環境中也能穩定工作,適合用于高壓電源和工業控制應用。
- 快速開關速度:NTD4810NT4G的開關速度非常快,具備低的柵極電荷(Qg)特性,通常為25納庫倫左右。這使其能夠在高頻率開關應用中有效降低開關損耗和提高效率。
- 熱管理性能:NTD4810NT4G采用先進的封裝技術,具有良好的熱導性能,能夠有效散熱,降低工作溫度,從而提高器件的可靠性和壽命。
綜上所述,NTD4810NT4G作為一種高性能的N溝道功率MOSFET,憑借其低導通電阻、高電流承載能力、耐高壓、快速開關速度和優良的熱管理性能,在電源管理、電機控制、電池管理、照明系統以及計算和通訊設備等多個領域中得到了廣泛應用。NTD4810NT4G的這些特點使其成為設計高效、可靠電子電路的理想選擇。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
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