PD最大耗散功率:20.8WID最大漏源電流:14AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:25VRDS(ON)Ω內阻:0.13ΩVRDS(ON)ld通態電流:5AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:1~2VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
立即咨詢一、應用場景:
1. 電源管理系統:NTD14N03RT4G常用于電源管理系統中,特別是在需要高效率和快速開關的應用中。由于其低導通電阻和快速開關速度,該器件能夠有效地減少能量損耗,提高電源效率。例如,在開關電源(SMPS)和DC-DC轉換器中,NTD14N03RT4G能夠提供穩定且高效的電源轉換。
2. 電機驅動:在電機驅動應用中,NTD14N03RT4G被用作控制電流的開關元件。其高電流處理能力和耐用性使其適用于直流電機和步進電機驅動。這種應用場景下,MOSFET需要承受高頻率的開關操作,同時保持低損耗和高可靠性,這正是NTD14N03RT4G所擅長的。
3. 汽車電子:汽車電子系統中對元件的要求非常嚴格,NTD14N03RT4G憑借其高耐壓和低導通電阻特性,廣泛應用于汽車電子控制單元(ECU)中。這些應用包括燃油噴射控制、點火控制和車身控制模塊等。NTD14N03RT4G在這些高應力環境中表現出色,確保了系統的可靠性和安全性。
4. 電池保護電路:在鋰電池保護電路中,NTD14N03RT4G用于控制電池的充放電過程。由于鋰電池對過充電和過放電非常敏感,NTD14N03RT4G的精確控制和快速響應能力能夠有效保護電池,延長其使用壽命。
5. LED照明:NTD14N03RT4G在LED驅動電路中也有廣泛應用。其高效能和低損耗特性使其能夠在驅動LED時提供穩定的電流,確保LED的亮度和壽命。此外,NTD14N03RT4G還能通過調節開關頻率,實現LED的調光功能,增加應用的靈活性。
二、參數特點:
- 導通電阻低(RDS(on)):NTD14N03RT4G的導通電阻非常低,僅為0.042Ω(在VGS=10V時)。這意味著在電流通過時,能量損耗較少,器件的效率更高,非常適合高效電源管理和驅動應用。
- 額定電流和電壓:NTD14N03RT4G的最大漏極電流為40A,最大漏源電壓為30V。這些參數使其能夠處理大電流應用,并在中低壓電路中提供可靠的性能。
- 開關速度快:NTD14N03RT4G具有極快的開關速度,這對于高頻開關電路至關重要。其典型的開關時間僅為數十納秒,這使其在開關電源和DC-DC轉換器中能夠快速響應,減少開關損耗。
- 熱性能:NTD14N03RT4G具有良好的熱性能,其熱阻為62.5°C/W。這意味著它能夠在高溫環境下穩定工作,并有效散熱,確保器件的可靠性。
- 封裝形式:NTD14N03RT4G采用DPAK封裝,這種封裝形式具有良好的散熱性能和機械強度,適合于自動化生產和大規模應用。同時,DPAK封裝的MOSFET在PCB布局和安裝上也具有較高的靈活性。
綜上所述,NTD14N03RT4G是一款性能優異、應用廣泛的N溝道MOSFET,其低導通電阻、高額定電流和電壓、快速開關速度以及良好的熱性能,使其在電源管理、電機驅動、汽車電子、電池保護電路和LED照明等多種應用場景中得到了廣泛應用。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
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杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
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