PD最大耗散功率:43WID最大漏源電流:35AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:40VRDS(ON)Ω內阻:0.0175ΩVRDS(ON)ld通態電流:18AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:1.7~3VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
立即咨詢一、應用場景:
1. 電源管理系統:KMB035N40DB常用于開關電源和電池管理系統中。由于其低導通電阻和高開關速度,可以有效提高電源轉換效率,減少能量損耗。
2. 電機控制:在電動汽車和工業自動化設備中,KMB035N40DB廣泛應用于電機驅動和控制電路。其高耐壓和大電流處理能力確保了電機在高功率和高電流條件下的穩定運行。
3. 逆變器和轉換器:在太陽能光伏系統和風力發電系統中,KMB035N40DB用于逆變器和DC-DC轉換器,幫助實現直流到交流或不同電壓等級的轉換,保證系統的高效能量傳輸。
4. 音頻放大器:在音響系統中,KMB035N40DB作為功率放大器的輸出級元件,提供高質量的音頻放大效果,適用于高保真音響設備。
5. 工業控制設備:KMB035N40DB在各種工業控制設備中用作開關和調節元件,應用于自動化生產線、數控機床等需要精確控制和高可靠性的場合。
二、參數特點:
- 低導通電阻(RDS(on)):KMB035N40DB具有極低的導通電阻,典型值為35毫歐(mΩ),這使得其在工作時的功耗非常低,提高了整體系統的效率。
- 高耐壓能力:KMB035N40DB的最大漏源電壓(VDS)可達40V,能夠承受較高的電壓應力,適用于高壓電源和大功率設備。
- 大電流處理能力:KMB035N40DB的最大連續漏極電流(ID)為35A,能處理較大的電流負載,適用于高電流需求的應用場景。
- 快速開關性能:KMB035N40DB的開關速度快,開關損耗低,使其非常適合高頻開關電路,提高了系統的動態性能。
- 熱性能優越:KMB035N40DB具有良好的熱管理性能,熱阻低,有助于在高功率運行時散熱,保證器件的穩定性和壽命。
通過上述對KMB035N40DB的詳細描述,可以看出該型號的功率MOSFET在各個領域中有著廣泛的應用,并且其優異的參數特點確保了在不同應用場景下的高效、穩定運行。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
電話:13534146615
企業QQ:2881579535

深圳市壹芯微科技有限公司 版權所有 | 備案號:粵ICP備2020121154號