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您好!歡迎光臨壹芯微科技品牌官網(wǎng)PD最大耗散功率:345WID最大漏源電流:75V(BR)DSS漏源擊穿電壓:30AVRDS(ON)Ω內(nèi)阻:0.0023ΩVRDS(ON)ld通態(tài)電流:75AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開(kāi)啟電壓:1~3VVGS(th)ld(μA)開(kāi)啟電流:250μA
立即咨詢一、應(yīng)用場(chǎng)景:
1. 通信設(shè)備:ISL9N302AS3ST常見(jiàn)于通信設(shè)備中,用于功率放大和信號(hào)處理,保證設(shè)備的高效運(yùn)行。
2. 工業(yè)自動(dòng)化:在工業(yè)控制系統(tǒng)中,ISL9N302AS3ST被廣泛應(yīng)用于馬達(dá)控制和高效能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng),提升設(shè)備的穩(wěn)定性和效率。
3. 電動(dòng)車電源系統(tǒng):ISL9N302AS3ST在電動(dòng)車輛的電源管理單元中發(fā)揮關(guān)鍵作用,支持高功率電能轉(zhuǎn)換。
4. 太陽(yáng)能逆變器:用于太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中,ISL9N302AS3ST能夠有效管理和轉(zhuǎn)換電能,提高能源利用效率。
5. 消費(fèi)電子產(chǎn)品:ISL9N302AS3ST被應(yīng)用于高性能音響系統(tǒng)和電視設(shè)備中的功率放大模塊,以提升產(chǎn)品性能。
二、參數(shù)特點(diǎn):
1. 低導(dǎo)通電阻:ISL9N302AS3ST的導(dǎo)通電阻僅為10.5mΩ,適合低電壓和高電流應(yīng)用,有效降低能量損耗。
2. 高耐壓能力:具有高達(dá)60V的耐壓特性,適用于各種工業(yè)和汽車電子設(shè)備,保證在高壓環(huán)境中的穩(wěn)定性。
3. 高速開(kāi)關(guān)特性:典型的開(kāi)關(guān)時(shí)間為13ns,確保在高頻率操作時(shí)的快速響應(yīng)和穩(wěn)定性。
4. 內(nèi)建ESD保護(hù):集成了ESD保護(hù)功能,有效抵御靜電放電對(duì)器件的損害,提升設(shè)備的可靠性。
5. 良好的散熱性能:ISL9N302AS3ST采用TO-263封裝,提供優(yōu)良的散熱能力,適合長(zhǎng)時(shí)間高功率運(yùn)行的應(yīng)用場(chǎng)景。
綜上所述,ISL9N302AS3ST作為一款多功能、高性能的功率MOSFET,不僅在工業(yè)控制和電源管理領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,其優(yōu)異的參數(shù)特性也使其成為各種電子設(shè)備中不可或缺的重要組成部分。
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