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您好!歡迎光臨壹芯微科技品牌官網(wǎng)PD最大耗散功率:160WID最大漏源電流:160AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:30VRDS(ON)Ω內(nèi)阻:0.0039ΩVRDS(ON)ld通態(tài)電流:35AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:1.2~2.5VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
立即咨詢一、應(yīng)用場景:
1. 電源管理:FDD8870_F085常用于開關(guān)電源和電池管理系統(tǒng)中。由于其低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度,這款MOSFET能夠有效減少功耗,提高電源效率。
2. 電機驅(qū)動:在直流電機和步進電機的驅(qū)動電路中,FDD8870_F085表現(xiàn)出色。其出色的電流處理能力和耐用性確保了電機的穩(wěn)定運行和長壽命。
3. 汽車電子:FDD8870_F085具備高溫工作能力和抗干擾性能,廣泛應(yīng)用于汽車電子系統(tǒng),如電動窗控制、車燈調(diào)節(jié)和電動助力轉(zhuǎn)向等。
4. 消費電子:在筆記本電腦、智能手機和其他便攜設(shè)備中,FDD8870_F085用于電源管理和信號調(diào)節(jié),確保設(shè)備的高效能和低熱量產(chǎn)生。
5. 工業(yè)控制:FDD8870_F085在工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛。其高可靠性和強抗干擾能力使其成為PLC、傳感器接口和控制器的理想選擇。
二、參數(shù)特點:
- 低導(dǎo)通電阻:FDD8870_F085的典型導(dǎo)通電阻僅為6.5mΩ,這使其在導(dǎo)通狀態(tài)下能夠減少能量損耗,提高效率。
- 高開關(guān)速度:這款MOSFET具備快速開關(guān)能力,其典型開關(guān)時間在納秒級別。這對于需要快速響應(yīng)的電路設(shè)計尤為重要,如高頻開關(guān)電源和高速電機驅(qū)動。
- 高耐壓性:FDD8870_F085的漏源極耐壓為80V,能夠在較高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作,適用于多種高壓應(yīng)用場景。
- 高電流處理能力:其連續(xù)漏極電流(ID)可達75A,使其能夠處理大電流負載,適用于需要高電流的應(yīng)用,如電機驅(qū)動和電源管理。
- 熱性能優(yōu)異:FDD8870_F085具有出色的熱性能,其結(jié)溫可高達175°C。這意味著在高溫環(huán)境下,該MOSFET依然能夠可靠運行,適合工業(yè)和汽車電子等高溫應(yīng)用。
綜上所述,FDD8870_F085憑借其低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度、高耐壓性和高電流處理能力,成為各類電子設(shè)備中不可或缺的元件。無論是在電源管理、電機驅(qū)動還是汽車電子等應(yīng)用中,FDD8870_F085都能提供卓越的性能和可靠性。
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