PD最大耗散功率:205WID最大漏源電流:16.5AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:500VRDS(ON)Ω內阻:0.38ΩVRDS(ON)ld通態電流:8.3AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:3~5VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
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一、應用場景:
1. 電源管理系統:在開關電源、DC-DC轉換器和不間斷電源(UPS)等電源管理系統中,FDA16N50LDTU由于其高效能和低導通電阻,能夠有效減少能量損耗,提高系統的整體效率。
2. 電機控制:在電機驅動和控制系統中,FDA16N50LDTU能夠提供高速開關性能和高電流處理能力,適用于需要精確控制和高效率的電機應用,例如電動汽車、工業機器人等。
3. 照明系統:在LED驅動器和其他智能照明系統中,FDA16N50LDTU的高效能特點使其能夠在提供穩定輸出的同時,保持較低的能耗,延長系統的使用壽命。
4. 逆變器和轉換器:在光伏逆變器、風力發電逆變器和其他能源轉換設備中,FDA16N50LDTU憑借其優異的電氣性能,能夠在高頻操作下仍然保持高效能,確保能源轉換的穩定性和可靠性。
5. 家用電器:在現代家用電器如洗衣機、空調和微波爐等設備中,FDA16N50LDTU可以提供高效的功率轉換和控制,提升家用電器的性能和能源利用率。
二、參數特點:
- 電壓和電流規格:FDA16N50LDTU的漏源電壓(Vdss)為500V,能夠承受較高的電壓輸入,同時最大漏極電流(Id)為16A,適用于高電流需求的應用。
- 導通電阻:FDA16N50LDTU的典型導通電阻(Rds(on))僅為0.40Ω,這使其在導通狀態下的功率損耗非常低,提升了整體的電路效率。
- 開關速度:FDA16N50LDTU具有快速的開關速度,其總柵極電荷(Qg)為85nC,這意味著其能夠在高頻操作下提供穩定的性能,非常適合需要快速開關的應用場景。
- 熱性能:FDA16N50LDTU的結溫(Tj)范圍為-55°C到150°C,能夠在較寬的溫度范圍內穩定工作,并且具有良好的熱管理性能,有助于延長器件的使用壽命。
- 封裝類型:FDA16N50LDTU采用TO-220封裝,這種封裝方式不僅能夠提供良好的散熱性能,同時也方便集成到各種電力電子設備中,具有較高的安裝和使用靈活性。
通過以上詳盡的描述,FDA16N50LDTU作為一款高性能的N溝道功率MOSFET,其在電源管理、電機控制、照明系統、逆變器和家用電器等領域展現出卓越的性能和可靠性,成為各種高效能電力電子設備的理想選擇。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
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