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您好!歡迎光臨壹芯微科技品牌官網(wǎng)PD最大耗散功率:50WID最大漏源電流:21AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:100VRDS(ON)Ω內(nèi)阻:0.078ΩVRDS(ON)ld通態(tài)電流:1AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:1~VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
立即咨詢一、應(yīng)用場景:
1. 電源管理:在開關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器中,AM30N10-78D可用作主開關(guān)器件,其低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度使其非常適合高效能電源設(shè)計。
2. 電機控制:AM30N10-78D在電機驅(qū)動應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,尤其是在需要高電流和高效率的場景下。它可以用于各種電機控制電路,如無刷直流電機和步進電機驅(qū)動。
3. 電池保護:在電池管理系統(tǒng)中,AM30N10-78D用于保護電池免受過電流和短路影響,其高可靠性和低損耗特性為電池的長壽命和安全性提供保障。
4. 音頻放大器:該MOSFET可用于高保真音頻放大器電路中,其優(yōu)越的線性度和低失真特性使其成為高品質(zhì)音頻系統(tǒng)的理想選擇。
5. 太陽能逆變器:在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,AM30N10-78D可用于逆變器電路,其高效率轉(zhuǎn)換特性能夠有效提高整體系統(tǒng)的能量利用率。
二、參數(shù)特點:
- 低導(dǎo)通電阻(RDS(on)):AM30N10-78D的導(dǎo)通電阻非常低,典型值在幾毫歐范圍內(nèi)。這意味著在開關(guān)過程中產(chǎn)生的功耗較低,提高了電路的整體效率。
- 高擊穿電壓:該MOSFET的擊穿電壓高達100V,能夠承受較高的電壓應(yīng)力,適用于需要高電壓操作的電路設(shè)計。
- 高脈沖電流能力:AM30N10-78D具有出色的脈沖電流處理能力,能夠在短時間內(nèi)處理高達數(shù)十安培的電流,適用于需要高峰值電流的應(yīng)用。
- 快速開關(guān)速度:由于其低柵極電荷特性,AM30N10-78D具有快速的開關(guān)速度,減少了開關(guān)損耗,提高了電路的響應(yīng)速度。
- 熱穩(wěn)定性:AM30N10-78D在高溫下仍能保持良好的性能,其熱阻低,有效降低了運行中的溫度升高,保證了設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。
綜上所述,AM30N10-78D憑借其優(yōu)越的電氣性能和可靠性,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機控制、電池保護、音頻放大以及太陽能逆變器等多種領(lǐng)域,是現(xiàn)代電子設(shè)計中不可或缺的關(guān)鍵元件。
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