PD最大耗散功率:45WID最大漏源電流:2AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:600VRDS(ON)Ω內阻:5ΩVRDS(ON)ld通態電流:1AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:2~4VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
立即咨詢一、應用場景:
1. 開關電源(SMPS):在開關電源中,2N60L-TN3-R由于其高效能和快速切換特性,能夠有效降低功耗,提高整體電源效率。
2. 電機控制:在電機控制電路中,2N60L-TN3-R可以用來控制直流電機的開關,從而實現精確的速度和方向控制。
3. 逆變器:在逆變器電路中,2N60L-TN3-R可以作為高頻開關元件,幫助將直流電轉換為交流電,廣泛應用于太陽能發電系統和不間斷電源(UPS)系統。
4. 電池管理系統(BMS):在電池管理系統中,2N60L-TN3-R用于監控和控制電池的充放電過程,確保電池的安全性和長壽命。
5. LED照明:在LED照明驅動電路中,2N60L-TN3-R用于調節電流和電壓,保證LED燈的穩定和高效工作。
二、參數特點:
- 低導通電阻(RDS(on)):2N60L-TN3-R的低導通電阻能夠顯著降低導通損耗,提高電路的整體效率。在高電流應用中,這一特性尤為重要。
- 高擊穿電壓:2N60L-TN3-R的擊穿電壓高達600V,使其能夠在高壓環境下穩定工作,適用于需要耐高壓的應用場合。
- 快速開關速度:由于2N60L-TN3-R具有較小的柵極電荷和低的開關延遲時間,它能夠在高頻開關電路中實現快速切換,減少開關損耗和熱量生成。
- 優異的熱穩定性:2N60L-TN3-R設計優良,能夠在高溫環境下保持穩定的性能,確保設備的可靠運行。
- 封裝類型:2N60L-TN3-R通常采用TO-220封裝,這種封裝形式具有良好的散熱性能,適合安裝在需要良好熱管理的電路中。
綜上所述,2N60L-TN3-R是一款高性能的N溝道MOSFET,廣泛應用于各種需要高效能和高可靠性的電子電路設計中。其出色的參數特點使其在電源管理、開關電源、逆變器、電機控制、BMS和LED照明等領域表現優異。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
電話:13534146615
企業QQ:2881579535

深圳市壹芯微科技有限公司 版權所有 | 備案號:粵ICP備2020121154號