一、原因分析

MOS管因其高輸入電阻和極小的柵-源間電容，對外界電磁干擾或靜電極為敏感。即便極少的電荷積累也能在其間產生高電壓，極易導致器件損壞。盡管存在抗靜電設計，但在處理、存儲和運輸時，仍需采取嚴格的防護措施，例如利用金屬或導電材料進行封裝，避免放置在易產生靜電的環境中。

二、靜電擊穿的主要形式

靜電對MOS管的損害主要表現為電壓型擊穿和功率型擊穿。電壓型擊穿通常由柵極氧化層針孔造成短路，而功率型擊穿則是由于金屬化膜的熔斷導致開路。當前的VMOS管因引入二極管防護而顯著提高了耐靜電擊穿能力。

三、靜電的基本特性及其危害

靜電的三大特性—吸引或排斥力、存在電場、產生放電電流，均可對電子元件產生不利影響。這包括灰塵吸附、絕緣層和導體損壞，以及由于過熱引起的元件受損。雖然完全損壞的元件可在初期篩除，輕微損傷的元件在后續處理或使用過程中才可能顯現，這對檢測和維護帶來挑戰。

四、電子產品生產中的靜電防護

在電子產品的生產、裝配、包裝和運輸的全過程中，靜電均是一個潛在的威脅。特別是在器件的物流和運輸階段，更需注意防護措施，以防靜電由于外部電場的影響而產生破壞。

五、MOS電路的特定防護措施

MOS電路在遇到潛在的高瞬態輸入電流時，僅靠保護二極管可能不夠，此時應增加輸入保護電阻。在焊接過程中，確保工具接地至關重要，以防電烙鐵引發的漏電現象。此外，給柵極配置下拉電阻可有效減少外部干擾，保護器件不受誤動作的風險。