如何正確使用三極管和MOS管

三極管與MOS管的正確應用

NPN型三極管

適合發射極接GND集電極接負載到VCC的情況。 只要基極電壓高于射極電壓（此處為GND）0.7V，即發射結正偏（VBE為正），NPN型三極管即可開始導通。 基極用高電平驅動NPN型三極管導通（低電平時不導通）； 基極除限流電阻外，更優的設計是，接下拉電阻10-20k到GND。

優點是：

使基極控制電平由高變低時，基極能夠更快被拉低，NPN型三極管能夠更快更可靠地截止

系統剛上電時，基極是確定的低電平

如下，左圖所示。

PNP型三極管

適合發射極接VCC集電極接負載到GND的情況。 只要基極電壓低于射極電壓（此處為VCC）0.7V，即發射結反偏（VBE為負），PNP型三極管即可開始導通。 基極用低電平驅動PNP型三極管導通（高電平時不導通）； 基極除限流電阻外，更優的設計是，接上拉電阻10-20k到VCC。

優點是：

使基極控制電平由低變高時，基極能夠更快被拉高，PNP型三極管能夠更快更可靠地截止

系統剛上電時，基極是確定的高電平

如下，右圖所示。

所以，如上所述：

對NPN三極管來說，最優的設計是，負載R12接在集電極和VCC之間。 不夠周到的設計是，負載R12接在射極和GND之間。

對PNP三極管來說，最優的設計是，負載R14接在集電極和GND之間。 不夠周到的設計是，負載R14接在發射極和VCC之間。 這樣，就可以避免負載的變化被耦合到控制端。 從電流的方向可以明顯看出。

PMOS

適合源極接VCC漏極接負載到GND的情況。 只要柵極電壓低于源極電壓（此處為VCC）超過Vth（即Vgs超過-Vth），PMOS即可開始導通。 柵極用低電平驅動PMOS導通（高電平時不導通）； 柵極除限流電阻外，更優的設計是，接上拉電阻10-20k到VCC，使柵極控制電平由低變高時，柵極能夠更快被拉高，PMOS能夠更快更可靠地截止。

核磁共體

適合源極接GND漏極接負載到VCC的情況。 只要柵極電壓高于源極電壓（此處為GND）超過Vth（即Vgs超過Vth），NMOS即可開始導通。 柵極用高電平驅動NMOS導通（低電平時不導通）； 柵極除限流電阻外，更優的設計是，接下拉電阻10-20k到GND，使柵極控制電平由高變低時，柵極能夠更快被拉低，NMOS能夠更快更可靠地截止。

所以，如上所述：

對PMOS來說，最優的設計是，負載R16接在漏極和GND之間。 不夠周到的設計是，負載R16接在源極和VCC之間。

對NMOS來說，最優的設計是，負載R18接在漏極和VCC之間。 不夠周到的設計是，負載R18接在源極和GND之間。

總結

為避免負載的變化被耦合到控制端（基極Ib或柵極Vgs）的精密邏輯器件（如MCU）中，負載應接在集電極或漏極。

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