如何計算MOS管導通損耗

MOS 管計算導通損耗時，應該用平均電流IAVG還是用電流有效IRMS值呢？

先定義下相關參數，以便于后續的計算．

IO -------------輸出電流

IH-AVG-----------上MOS 管平均電流

IL-AVG ---------下MOS 管平均電流

IRMS(H) --------上MOS 管電流有效值

IRMS(L) -----------下MOS 管電流有效值

D ------------------上MOS 管占空比

ΔI --------------電感紋波電流

RON-H ---------上MOS 管導通電阻

RON-L ---------下MOS 管導通電阻

PON-H ---------上MOS 管導通損耗

PON-L ---------下MOS 管導通損耗

計算方法１： 基于平均電流

計算方法２： 基于電流有效值

下面是關于有效值和平均值的對比數據，可以直觀的看出有效值比平均值大出很多．

所以兩種方法計算出來的導通損耗也會差別很大，那么哪種方式是正確的呢？

MOS 管導通時，等效為一個電阻RDS(ON), 計算損耗時是通過積分來計算的，應該用有效值來計算。

由此可見，I 為有效值的計算公式, 所以計算時應用電流有效值來計算MOS管的導通損耗．

那么什么時候可以用平均電流來計算損耗呢？

其實輸出整流二極管，MOS體二極管的導通損耗，則是用均值來計算的．

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