MOS管和晶體管的區別分析

什么是MOS管?

MOS晶體管是金屬-氧化物-半導體場效應晶體管，或金屬-絕緣體-半導體。MOS管的源漏是可互換的，它們是在P型背柵中形成的N形區域。在大多數情況下，這兩個區域是相同的，甚至兩端的對準也不會影響器件的性能。這種裝置被認為是對稱的。

什么是晶體管?

在嚴格意義上，晶體管是指基于半導體材料的單個元件、由各種半導體材料制成的二極管、三極管、場效應晶體管、可控硅等。晶體管有時指晶體的晶體管。

晶體管分為兩大類：雙極晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET)。晶體管有三個極;雙極晶體管有三個極，分別是發射極、基極和集電極。場效應晶體管有三個極：源極、柵極和漏極。

雙極性晶體管是指一種常用于音頻電路的晶體管。兩極是由流經兩種半導體材料的電流系統之間的關系而來。雙極性晶體管可根據工作電壓的極性分為npn或pnp類型。

雙極晶體管和MOSFET晶體管的工作原理相同。從根本上說，這兩種晶體管都是電荷控制器件，這就意味著它們的輸出電流與控制電極在半導體中形成的電荷成比例。將這些器件用作開關時，都必須由能夠提供足夠灌入和拉出電流的低阻抗源來驅動，以實現控制電荷的快速嵌入和脫出。

從這一點來看，在開關期間，MOSFET必須以類似于雙極晶體管的形式進行“硬”驅動，以實現可媲美的開關速度。從理論上來說，雙極晶體管和MOSFET器件的開關速度幾乎相同，這取決于電荷載流子在半導體區域中傳輸所需的時間。功率器件的典型值大約為20 至200 皮秒，具體取決于器件大小。

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