MOS場效應管防反保護解析

NMOS場效應管通過D管腳和S管腳串接于電源和負載之間，電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置，VR1用于限制VGS間電壓，防止被擊穿。正接時候，R1、R2提供VGS電壓，MOS飽和導通。反接的時候MOS不能導通，所以起到防反接作用，利用MOS管的開關特性控制電路的導通和斷開，從而防止電源反接給負載帶來損壞。

PMOS場效應管防反保護如下圖所示：

PMOS場效應管通過D管腳和S管腳串接于電源和負載之間，電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置，VR1用于限制VSG間電壓，防止被擊穿。正接時候，R1、R2提供VSG電壓，MOS飽和導通。反接的時候MOS不能導通，所以起到防反接作用，利用MOS管的開關特性控制電路的導通和斷開，從而防止電源反接給負載帶來損壞。

由于場效應管的加工工藝導致NMOS管的導通電阻比PMOS的小，所以最好選用NMOS。

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