一、晶體管相較于電子管，具備諸多優(yōu)勢，主要可歸納為以下三大類：

1. 維護便捷：電子管因陰極原子變化和漏氣問題而漸漸退化，而晶體管則因技術(shù)進步及改進，在壽命上有了明顯提升。這種免維護的特性使得晶體管在長期使用中更加可靠。

2. 低功耗：晶體管的功耗遠遠低于電子管，僅為其十分之一甚至更低。相較于電子管需要通過加熱燈絲產(chǎn)生自由電子，晶體管則只需幾個干電池即可維持較長時間的運行。這一優(yōu)勢使得晶體管在電子設(shè)備設(shè)計中得到廣泛應(yīng)用，尤其是對電池供電設(shè)備。

3. 快速啟動：與電子管需要預(yù)熱不同，晶體管可以立即啟動工作，無需等待預(yù)熱時間。這一特性使得晶體管在一些對啟動速度要求較高的場合中特別受歡迎，如軍事和測量領(lǐng)域。

二、判斷和計算方面，針對晶體管的特性，有以下幾點需要注意：

1. 基極和管型的確認：通過測量電阻值的方式可以判斷晶體管的基極和管型。這種方法簡單易行，對于基礎(chǔ)的晶體管識別非常有效。

2. 集電極的確定：對于三極管，正確連接發(fā)射極和集電極時，放大系數(shù)較大。通過捏住基極和假設(shè)的集電極的方式，可以幫助確認集電極和發(fā)射極的位置。

3. 電流放大系數(shù)β的估算：通過測量不同工作狀態(tài)下的電阻值變化，可以估算出晶體管的電流放大系數(shù)β。這對于進一步理解晶體管的工作特性具有重要意義。

三、針對MOS晶體管，有一些特殊的工作參數(shù)需要關(guān)注：

1. 最高工作頻率：對于MOS晶體管而言，最高工作頻率與柵極輸入電容CGC的充放電電流和漏源交流電流的關(guān)系密切相關(guān)。了解這一參數(shù)有助于優(yōu)化MOS晶體管的工作性能。

2. 跨導(dǎo)gm：MOS晶體管的跨導(dǎo)gm衡量了其對VGS的控制能力，在設(shè)計電路時需要考慮這一參數(shù)以保證性能穩(wěn)定。

3. 閾值電壓：MOS晶體管的閾值電壓與多種因素相關(guān)，了解其影響因素有助于更好地設(shè)計和使用MOS晶體管。