關(guān)于負(fù)載開關(guān)ON時(shí)的浪涌電流

負(fù)載開關(guān)Q1導(dǎo)通瞬間會(huì)暫時(shí)流過比穩(wěn)態(tài)電流大得多的電流。輸出側(cè)的負(fù)載容量CL的電荷接近零時(shí)，向輸出VO施加電壓的瞬間會(huì)流過大充電電流。

這種流過大電流的現(xiàn)象稱作浪涌電流（Flash Current）。

浪涌電流的峰值大體可以通過輸入電壓VI、MOSFET Q1的RDS(on)和負(fù)載側(cè)負(fù)載容量CL的ESR確定，輸入電壓VIN變大時(shí)，電流也相應(yīng)變大。

浪涌電流顯著變大時(shí)，有可能會(huì)引起誤動(dòng)作和系統(tǒng)問題。

而且，在超過最大額定電流時(shí)，有導(dǎo)致破壞的危險(xiǎn)。通過與MOSFET Q1的柵極、源極間電阻R1并聯(lián)追加電容器C2， 并緩慢降低Q1的柵極電壓，可以緩慢地使RDS(on)變小，從而可以抑制浪涌電流。

負(fù)載開關(guān)等效電路圖

關(guān)于Nch MOSFET負(fù)載開關(guān)ON時(shí)的浪涌電流應(yīng)對(duì)措施

Nch MOSFET負(fù)載開關(guān)等效電路圖

Nch MOSFET 負(fù)載開關(guān)：RSQ020N03

VIN=5V, IO=1A,　Q1_1G=1V→12V

Q2 OFF時(shí)，負(fù)載SWQ1 ON。（Q1的柵極電壓設(shè)定在VO(VGSQ1)之上。）

Q2 ON時(shí)，負(fù)載SWQ1 OFF。

Q1 ON時(shí)，由于會(huì)流過浪涌電流，所以作為應(yīng)對(duì)措施追加C2。

關(guān)于負(fù)載開關(guān)OFF時(shí)的逆電流

即使在負(fù)載開關(guān)Q1從ON到OFF時(shí)，由于存在輸出側(cè)負(fù)載容量CL，所以輸出VO引腳的電壓會(huì)殘留一定時(shí)間。

輸入VI側(cè)比輸出VO側(cè)電壓低時(shí)，由于MOSFET Q1的漏極、源極間存在寄生二極管，所以有時(shí)寄生二極管導(dǎo)通會(huì)發(fā)生從輸出VO側(cè)到輸入VIN側(cè)的逆電流。

要注意，不要超過MOSFET Q1的額定電流值。

關(guān)于輸入旁路電容器CIN的容量值，請(qǐng)?jiān)诔浞痔接懾?fù)載側(cè)條件、上升時(shí)間后再?zèng)Q定。

負(fù)載開關(guān)等效電路圖

壹芯微科技專注于“二,三極管、MOS(場效應(yīng)管)、橋堆”研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，20年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，擁有先進(jìn)全自動(dòng)化雙軌封裝生產(chǎn)線、高速檢測(cè)設(shè)備等，研發(fā)技術(shù)、芯片源自臺(tái)灣，專業(yè)生產(chǎn)流程管理及工程團(tuán)隊(duì)，保障所生產(chǎn)每一批物料質(zhì)量穩(wěn)定和更長久的使用壽命，實(shí)現(xiàn)高度自動(dòng)化生產(chǎn)，大幅降低人工成本，促進(jìn)更好的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)！選擇壹芯微，還可為客戶提供參數(shù)選型替代，送樣測(cè)試，技術(shù)支持，售后服務(wù)等，如需了解更多詳情或最新報(bào)價(jià)，歡迎咨詢官網(wǎng)在線客服！

手機(jī)號(hào)/微信：13534146615

QQ：2881579535