晶體管BJT高低邊開關(guān)介紹

晶體管BJT高低邊開關(guān)

引言：之前有介紹了MOS類型的高低邊負(fù)載開關(guān)，MOS類型高低邊開關(guān)固有其優(yōu)勢，比如壓降小，損耗低，控制簡易，使用場景也比BJT類型的高低邊開關(guān)廣泛，但是在需要控制負(fù)載電流的場景，BJT負(fù)載開關(guān)卻更有優(yōu)勢，比如汽車車燈，工業(yè)照明，恒定電流源等場景。1.低邊開關(guān)

如圖5-1為NPN型BJT低邊開關(guān)，用來驅(qū)動LED負(fù)載，R2為限流分壓電阻。

圖5-1：BJT低邊開關(guān)

2.高邊開關(guān)

如圖5-2為NPN型BJT高邊開關(guān)，用來驅(qū)動LED負(fù)載，R2為限流分壓電阻。高邊開關(guān)和底邊開關(guān)的計算可以回顧之前的章節(jié)。

圖5-2：BJT高邊開關(guān)

3.使用拓?fù)?/p>

LED的驅(qū)動方式多種多樣，有外驅(qū)和自驅(qū)兩種，外驅(qū)即使用第二個控制引腳來控制閘門，自驅(qū)即使用VCC本身來驅(qū)動。

圖5-3：自驅(qū)式配置LED驅(qū)動

如圖5-3為NPN和PNP兩種自驅(qū)式LED驅(qū)動，其中兩支二極管給Vbe提供固定鉗位電壓，框外電阻作為電流可調(diào)節(jié)電阻，根據(jù)串接LED的數(shù)量來計算配置。框內(nèi)可以作為一個整體器件也可以使用分立器件來搭建。

圖5-4：灌-吸式配置LED驅(qū)動

如圖5-4為灌-吸電流LED驅(qū)動，由NPN和PNP搭建，上管PNP灌電流給NPN，NPN自然吸收此電流，這種配置可以極大增強(qiáng)LED的驅(qū)動電流，吸電流越大，可以驅(qū)動的LED燈數(shù)量更多，實(shí)際有些類似達(dá)林頓連接。

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