當出現短路時IGBT的Vce快速上升，過高的dVce/dt會通過米勒電容給IGBT門極充電，若不進行保護會使得門極電壓過高而損壞IGBT，門極鉗位電路主要是在門極電壓過高時起動保護電路動作，提供電流瀉放通道抑制門極電壓升高。

此電路選擇較大的R3和較小的R5及適當的C2使用三極管Q1慢關快開(在IGBT導通前關斷，在IGBT關斷后導通)，這樣下面的電路就與IGBT的驅動完全獨立開來了，R4，D4的目的是防止Q1有過高的Veb電壓。此鉗位電路適用于小功率自舉電路。

目前已經驅動芯片內部集成了米勒鉗位功能，可極大減少外部器件，簡化布局布線。如下圖Dcl,e是外部對電源鉗位二極管，集成到芯片內部(Dcl)。

設計注意點：

1、 D2要選擇肖特基二極管，電流滿足驅動要求。

2、 PNP三極管選擇速度快，延遲小，高增益，同時有一定的電流通流能力。

3、 要保證從IGBT門極至二極管到電源電容C1至IGBT發射極的回路最小。

4、電容及三極管一定放在IGBT的門極處。

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