開關電路是指具有“接通”和“斷開”兩種狀態的電路。輸入、輸出信號具有兩種狀態的電路就是一種開關電路。邏輯門電路、雙穩態觸發器也都是開關電路。 開關電路的原理是由開關管和PWM（Pulse Width Modulatioon）控制芯片構成振蕩電路，產生高頻脈沖。將高壓整流濾波電路產生的高壓直流電變成高頻脈沖直流電，送到主變壓器降壓，變成低頻脈沖直流電。

場效應管做開關電路圖（兩款電路圖分享）

場效應管要注意防靜電。很容易燒壞的。

舉個例子：做一個場效應管的的開關電路，控制25w 24v的電磁鐵 ，電源 直流24v ，信號電壓 8v，最低1.7v ，信號和輸出都是兩個 ，一個離合， 一個剎車 ，交替運行 每秒大約5次。方法：1.7至8V的信號電壓通過限流電阻接至三極管基極，三極管集電極觸發由CD4013數字集成電路電路組成的單穩態電路，數字電路4013的輸出端Q和Q非分別驅動2個場效應管，二個效應管均可驅動電磁鐵線圈，使離合、剎車交替進行，選取合適的單穩態電阻和電容元件可以使離合 、剎車每秒1次以上。

場效應管電壓控制元件，僅僅在開關時候需要從柵極吸收或者釋放電流，因此驅動損耗較小。多子器件，沒有電導調制效應，有一個近似線性I-V關系，導通壓降隨著電流增大增大。高耐壓的場效應管的漂移區較厚，因此導通電阻較大。導通電阻具有正溫度系數，并聯時候可以實現自動均流。硅半導體的MOSFET耐壓等級為600V以下。這是因為導通壓降和耐壓的關系的限制。新型的碳化硅MOSFET的耐壓等級可以做到1200V。對于高耐壓情況，IGBT結合了MOSFET和晶體管的特性，具有MOSFET優異的開關性能和晶體管的靜態性能，在1000V~6000V應用場合更受到青睞。

場效應管做開關電路圖（兩款電路圖分享）

圖中電池的正電通過開關S1接到場效應管Q1的2腳源極，但由于Q1是一個P溝道管，它的1腳柵極通過R20電阻提供一個正電位電壓，所以不能通電，電壓不能繼續通過，所以此時是關機狀態。當按下SW1開機按鍵時，正電通過按鍵、R11、R23、D4加到三極管Q2的基極，這時三極管Q2的基極得到一個正電位，三極管導通。而由于三極管的發射極直接接地，三極管Q2導通就相當于Q1的柵極直接接地，加在它上面的通過R20電阻的電壓就直接入了地，Q1的柵極就從高電位變為低電位，Q1導通電就從Q1同過加到3v穩壓IC的輸入腳，3v穩壓IC就是那個U1輸出3v的工作電壓vcc供給主控，主控通過復位清0。通過讀取固件程序檢測等一系列動作，輸出控制電壓到PWR_ON再通過R24、R13分壓送到Q2的基極，Q2一直保持導通狀態，即使你松開開機鍵斷開Q1的基極電壓，Q2的導通狀態還是能由主控電壓保持著，這時電源處于開機狀態。

SW1還同時通過R11、R30兩個電阻的分壓，給主控PLAYON腳送去時間長短、次數不同的控制信號，主控通過固件鑒別是播放、暫停、開機、關機而輸出不同的結果給相應的控制點，以達到不同的工作狀態。

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