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        [常見問題解答]探索碳化硅肖特基二極管在可再生能源電源中的應(yīng)用[ 2024-06-08 14:37 ]
        新一代IFX SiC肖特基二極管(thinQ!2G): 結(jié)合了傳統(tǒng)SiC肖特基二極管和雙極pn結(jié)構(gòu)的新一代IFX SiC肖特基二極管(thinQ!2G),具有顯著提升的浪涌電流承受能力和穩(wěn)定的過壓特性。通過優(yōu)化p區(qū)域,提高發(fā)射極效率和電導(dǎo)率,使其在正向電壓超過4V時能有效作為浪涌電流的旁路通道。此外,其優(yōu)化的浪涌電流功能允許在設(shè)計時針對應(yīng)用中的平均電流條件進行調(diào)整,有效處理啟動和交流回落引起的浪涌及過電流。全球功率因數(shù)調(diào)整(PFC)市場趨勢: PFC市場的主要驅(qū)動力是全球性的減少諧波失真相關(guān)規(guī)定。歐洲的EN6100
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        [常見問題解答]提高4H-SiC肖特基二極管和MOSFET的雪崩耐受性[ 2021-01-12 17:41 ]
        提高4H-SiC肖特基二極管和MOSFET的雪崩耐受性半導(dǎo)體市場的最新趨勢是廣泛采用碳化硅(SiC)器件,包括用于工業(yè)和汽車應(yīng)用的肖特基勢壘二極管(SBD)和功率MOSFET。與此同時,由于可供分析的現(xiàn)場數(shù)據(jù)有限,這些器件的長期可靠性成為一個需要解決的熱點問題。一些SiC供應(yīng)商已開始根據(jù)嚴格的工業(yè)和汽車(AEC-Q101)標(biāo)準(zhǔn)來認證SiC器件,而另一些供應(yīng)商不但超出了這些認證標(biāo)準(zhǔn)的要求,還能為惡劣環(huán)境耐受性測試提供數(shù)據(jù)。為了使SiC器件在任務(wù)和安全關(guān)鍵型應(yīng)用中保持較高的普及率,應(yīng)將這種認證和測試策略與特定的設(shè)計規(guī)則
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        [常見問題解答]晶體二極管開關(guān)轉(zhuǎn)換過程分析[ 2020-09-29 16:21 ]
        晶體二極管開關(guān)轉(zhuǎn)換過程分析晶體二極管開關(guān)電路在數(shù)字系統(tǒng)和自動化系統(tǒng)里應(yīng)用很廣泛,在晶體二極管開關(guān)特性實驗中,其開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中輸出與輸入存在時間上的延遲或者滯后,研究晶體二極管開關(guān)特性主要是研究其開關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程所需時間的長短。DQ系列二極管具有超快速軟恢復(fù)等優(yōu)點,極大地提高了晶體二極管的開關(guān)速度。隨著技術(shù)的發(fā)展,新型的SiC肖特基勢壘二極管與采用Si或GaAS技術(shù)的傳統(tǒng)功率二極管相比,SiC肖特基二極管(SiC-SBD)可大幅降低開關(guān)損耗并提高開關(guān)頻率。在AM-LCD中,用C60制作的勢壘二極管作為有源矩陣的開關(guān),
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        [常見問題解答]晶體二極管開關(guān)轉(zhuǎn)換過程解析[ 2019-09-02 16:36 ]
        晶體二極管開關(guān)電路在數(shù)字系統(tǒng)和自動化系統(tǒng)里應(yīng)用很廣泛,在晶體二極管開關(guān)特性實驗中,其開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中輸出與輸入存在時間上的延遲或者滯后,研究晶體二極管開關(guān)特性主要是研究其開關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程所需時間的長短。Microsemi公司研制的DQ系列二極管具有超快速軟恢復(fù)等優(yōu)點,極大地提高了晶體二極管的開關(guān)速度。隨著技術(shù)的發(fā)展,新型的SiC肖特基勢壘二極管與采用Si或GaAS技術(shù)的傳統(tǒng)功率二極管相比,SiC肖特基二極管(SiC-SBD)可大幅降低開關(guān)損耗并提高開關(guān)頻率。在AM-LCD中,用C60制作的勢壘二極管作為有源矩陣的開關(guān)
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        地 址/Address

        工廠地址:安徽省六安市金寨產(chǎn)業(yè)園區(qū)
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        中山辦事處地址:中山市古鎮(zhèn)長安燈飾配件城C棟11卡
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