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        [常見問題解答]互補MOSFET脈沖變壓器驅動電路常見問題及優化對策[
                                        2025-04-11 12:23
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                                    在開關電源、逆變器、功率變換器等電力電子領域，脈沖變壓器被廣泛應用于MOSFET的隔離驅動設計。特別是在互補MOSFET的驅動場景中，脈沖變壓器不僅承擔信號傳輸作用，同時還需要保證良好的驅動波形和高速響應。然而，實際電路設計中，脈沖變壓器驅動互補MOSFET時，常常會遇到一些典型問題，影響電路的穩定性和可靠性。一、常見問題分析1. 脈沖變壓器漏感過大脈沖變壓器繞制不合理或結構設計不當，容易導致漏感較大。漏感過大將直接影響驅動波形的上升和下降速度，尤其在MOSFET開關頻率較高的應用中，影響更為明顯，甚至會導致MOS
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/hbmosfetmc_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]決定MOSFET開關損耗的核心參數及其影響[
                                        2025-03-19 10:34
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                                    MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導體場效應晶體管）是電力電子和開關電源中廣泛應用的核心器件。在高頻和高效能電路設計中，MOSFET的開關損耗直接影響整體能效和散熱管理。因此，了解決定MOSFET開關損耗的核心參數及其影響，對于優化電路設計至關重要。一、MOSFET開關損耗的基本概念MOSFET在開關工作模式下，會經歷從關斷（高阻態）到導通（低阻態）以及從導通回到關斷的過程。在這個轉換期間，由于電壓和電流不能瞬間變化，兩者
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/jdmosfetkg_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]影響MOSFET開關損耗的主要參數解析[
                                        2025-03-08 12:12
                                        ]
        
                                
        
                                    在電子電路設計中，MOSFET作為重要的開關器件，其開關損耗直接影響系統的能效和熱管理。MOSFET在開關過程中會經歷導通、關斷等不同階段，每個階段都會涉及不同的能量損耗，而這些損耗受多種參數影響。一、MOSFET開關損耗的來源MOSFET的開關損耗主要來源于開通過程和關斷過程，具體表現為：1. 開通損耗：MOSFET在從截止狀態進入導通狀態的過程中，漏極電流逐步上升，而漏極-源極電壓逐步下降。這段時間內，MOSFET兩端仍然存在較大的電壓，同時流過較大的電流，導致功率損耗。2. 關斷損耗：當MOSFET從導通狀態
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/yxmosfetkg_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]MOS管驅動電阻的計算方法與參數優化[
                                        2024-10-28 14:39
                                        ]
        
                                
        
                                    在電子電路中，MOS管驅動電阻的選擇是影響系統性能的關鍵因素之一。合適的驅動電阻可確保 MOSFET穩定、準確地開關，從而提高效率并延長器件驅動電阻的使用壽命。針對不同應用場景的計算方法和參數優化建議，幫助設計人員找到實際電路中的最佳電阻值。一、驅動電阻的作用分析驅動電阻在MOSFET驅動電路中主要有兩個作用。1. 抑制振動并提供阻尼。當MOS管導通時，驅動電阻通過減小電流來減小電流變化量，從而減少振動。這在高頻開關條件下尤其重要，因為在高頻開關條件下，阻尼不足，MOSFET開關過程可能會產生過多的電流尖峰，從而使
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/mosgqddzdj_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]功率MOSFET開關過程詳解：開通與關斷的物理原理[
                                        2024-10-10 12:04
                                        ]
        
                                
        
                                    功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是現代電力電子技術中的重要器件，廣泛應用于各種開關電源、電機驅動和功率轉換系統中。其高效率和開關性能使其成為理想的選擇。要了解功率MOSFET的性能，掌握開關它們的物理過程非常重要。本文詳細分析了MOSFET工藝的基本工作原理和重要影響因素。一、功率MOSFET工作原理概述功率MOSFET的結構主要由柵極、漏極和源極組成。由于柵極電壓控制溝道中的電子或空穴，因此源極和漏極之間的電流由柵極電壓控制。當柵極電壓超過一定閾值時，電子流入溝道并形成導通狀態。相反，如果柵極電壓
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/glmosfetkg_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]如何利用TVS保護方案應對碳化硅MOSFET的開關尖峰問題[
                                        2024-08-20 11:07
                                        ]
        
                                
        
                                    在現代電力電子領域，碳化硅（SiC）MOSFET由于其優越的高效能、高頻率和高溫性能，成為眾多應用中的首選。然而，這種先進的半導體器件在快速開關過程中會產生電壓尖峰，給電路穩定性帶來挑戰。為了有效應對這一問題，瞬態電壓抑制二極管（TVS）保護方案成為一種行之有效的選擇。本文將深入探討如何利用TVS保護方案來應對碳化硅MOSFET的開關尖峰問題，并提供實際應用中的示例。


    一、碳化硅MOSFET開關尖峰的產生機制


    碳化硅MOSFET在高頻率和高電流應用中表現出色，但在開關
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/rhlytvsbhf_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]基于TNY279設計的一種LED光源驅動電路介紹[
                                        2022-11-15 16:04
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                                    本文設計了一種LED光源驅動電路，介紹了設計原理和方法，采用電壓和電流雙環反饋，能夠輸出恒定的電壓和電流，并且具有開環保護負載的功能，能有效提高LED光源的使用壽命。　　1芯片介紹　　本設計采用TNY279電源芯片作為開關電源的控制芯片，TNY279電源芯片在一個器件上集成了一個700V高壓MOSFET開關和一個電源控制器，與普通的PWM控制器不同，它使用簡單的開/關控制方式來穩定輸出電壓。控制器包括一個振蕩器、使能電路、限流狀態調節器、5.8V穩壓器、欠電壓即過電壓電路、限流選擇電路、過熱保護、電流限流保護、前沿
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/jytny279sj_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]〔壹芯〕生產IRF740場效應管10A-400V,參數達標,質量穩定[
                                        2021-06-09 10:54
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                                    〔壹芯〕生產IRF740場效應管10A-400V,參數達標,質量穩定場效應管(MOSFETS)型號：IRF740　　　　　　　極性：NIDA(A)：10　　　　　　　VDSS(V)：400RDS(on)　MAX(Ω)：0.55　VGS(V)：10 VGS(th)　(V)：2~4Gfs(min)　(S)：5.8　Vgs(V)：20　Io(A)：6封裝：TO-220知識科普電力場效應晶體管的基本特性之開關特性電力MOSFET開關特性的測試電路如圖1.12（a）所示，開關特性如圖1.12（b）所示。其中up為矩
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/yxscirf740_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]MOS管選型規范- MOS管選型規范的六個規格[
                                        2020-12-08 16:01
                                        ]
        
                                
        
                                    MOS管選型規范- MOS管選型規范的六個規格MOS管選型規范原則有六個必知負載電流IL--它直接決定于MOSFET的輸出能力；輸入-輸出電壓–它受MOSFET負載占空比能力限制；開關頻率FS–參數影響MOSFET開關瞬間的耗散功率；MOS管最大允許工作溫度–這要滿足系統指定的可靠性目標。MOS管選型規范一、電壓應力在電源電路應用中，往往首先考慮漏源電壓VDS的選擇。在此上的基本原則為MOSFET實際工作環境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規格書中標稱漏源擊穿電壓的90%。即
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/mosgxxgfmo_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]技術全面地設計光耦繼電器開關知識[
                                        2020-07-15 16:11
                                        ]
        
                                
        
                                    技術全面地設計光耦繼電器開關知識MOSFET代表金屬氧化物半導體場效應晶體管。實際上，如果我們將其用作開關電路，則它比BJT更易于使用。如今，MOSFET在汽車，電源和一般電子設備的電路設計中作為低側和高側驅動器非常受歡迎。它是一種電壓控制設備，因此很容易偏置成為開關。設計MOSFET開關有兩種選擇。一種是低壓側驅動，另一種是高壓側驅動。在前者中，當MOSFET飽和時，它將為電路接地提供路徑。對于后者，當MOSFET飽和時，它將提供通往電路電源的路徑。在本文中，我將使用繼電器作為負載，因為它具有電感特性，可能會對設
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/jsqmdsjgoj_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]電源設計知識-10個電源設計最常用公式圖[
                                        2020-03-11 14:44
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                                    電源設計知識-10個電源設計最常用公式圖電源是將其它形式的能轉換成電能的裝置。電源自“磁生電”原理，由水力、風力、海潮、水壩水壓差、太陽能等可再生能源，及燒煤炭、油渣等產生電力來源。常見的電源是干電池（直流電）與家用的110V-220V 交流電源。本文將為你解析10個電源設計最常用的公式。非常實用，推薦收藏。1、MOSFET開關管工作的最大占空比Dmax式中：Vor為副邊折射到原邊的反射電壓，當輸入為AC 220V時反射電壓為135V；VminDC為整流后的最低直流電壓； VDS為MOSFE
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/dysjzs10gd_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
                地 址/Address
        
            
        
                工廠地址：安徽省六安市金寨產業園區
                
        
                深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
        
                電話：13534146615
                企業QQ：2881579535
            
        
        
        
        
        
            
        
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