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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管開(kāi)關(guān)電路中三極管易損壞的原因解析[ 2025-03-19 10:30 ]

MOS管開(kāi)關(guān)電路在電子設(shè)計(jì)中應(yīng)用廣泛，憑借其高開(kāi)關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻以及低功耗等優(yōu)點(diǎn)，被大量用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和信號(hào)控制等場(chǎng)景。然而，在某些情況下，為了實(shí)現(xiàn)特定的控制功能，設(shè)計(jì)中會(huì)引入三極管作為輔助元件。然而，許多工程師在實(shí)際應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)，三極管在MOS管開(kāi)關(guān)電路中往往更容易損壞。那么，造成這一現(xiàn)象的原因是什么？又該如何避免三極管的損壞呢？一、三極管在MOS管開(kāi)關(guān)電路中的作用在MOS管驅(qū)動(dòng)電路中，三極管通常被用作前級(jí)信號(hào)放大、級(jí)聯(lián)驅(qū)動(dòng)或是過(guò)流保護(hù)。例如，在一些低壓控制高壓的電路中，單獨(dú)使用MOS管可能無(wú)法滿足邏輯電

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]如何設(shè)計(jì)和優(yōu)化MOS管開(kāi)關(guān)電路：實(shí)用指南[ 2024-04-15 09:46 ]

一、MOS管開(kāi)關(guān)應(yīng)用必須設(shè)置泄放電阻在MOS管的開(kāi)關(guān)運(yùn)用中，確保柵極電荷在電源關(guān)閉時(shí)迅速釋放至關(guān)重要。若不這樣做，存留電荷將導(dǎo)致未控制的巨大漏極電流，有可能燒毀MOS管。因此，將泄放電阻R1并聯(lián)于柵極與源極之間，這樣做可以在電源關(guān)閉后迅速釋放存儲(chǔ)的電荷，阻值通常在5K至數(shù)10K之間。二、特殊驅(qū)動(dòng)電路：灌流電路的應(yīng)用灌流電路的設(shè)計(jì)針對(duì)MOS管容性輸入特性，此特性會(huì)引起開(kāi)關(guān)動(dòng)作的滯后。在灌流電路中，采用低內(nèi)阻的激勵(lì)信號(hào)源，以確保快速、高效的充電和放電，從而提升MOS管的開(kāi)關(guān)速度。三、場(chǎng)效應(yīng)管與三極管的對(duì)比場(chǎng)效應(yīng)管（例如

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]從基礎(chǔ)到實(shí)踐：解讀三極管和MOS管開(kāi)關(guān)電路的設(shè)計(jì)原理[ 2024-04-09 16:17 ]

當(dāng)涉及到電路設(shè)計(jì)時(shí)，你是否了解三極管開(kāi)關(guān)電路和MOS管開(kāi)關(guān)電路？這兩者在工作原理、應(yīng)用場(chǎng)景以及性能方面存在著顯著差異，因此在選擇和應(yīng)用時(shí)需要謹(jǐn)慎考慮。首先，三極管是一種電流控制器件，而MOS管則是電壓控制器件。這意味著它們?cè)诓煌碾娐吩O(shè)計(jì)中具有不同的特性和應(yīng)用方式。其次，在成本方面，三極管通常更為經(jīng)濟(jì)實(shí)惠，而MOS管的價(jià)格相對(duì)較高。因此，在成本敏感的應(yīng)用場(chǎng)景中，三極管可能更具吸引力。再者，功耗方面，三極管通常會(huì)產(chǎn)生較大的損耗，而MOS管則具有更低的功耗。最后，在驅(qū)動(dòng)能力方面，MOS管常被用于需要更高驅(qū)動(dòng)能力的應(yīng)用，

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]三極管和MOS管的開(kāi)關(guān)電路區(qū)別介紹[ 2023-07-24 15:45 ]

三極管和MOS管的開(kāi)關(guān)電路區(qū)別介紹工程師一般在做電路設(shè)計(jì)時(shí)候，三極管開(kāi)關(guān)電路和MOS管開(kāi)關(guān)電路有著以下四種區(qū)別：首先是三極管是用電流控制，MOS管屬于電壓控制;然后就是成本問(wèn)題，三極管便宜，MOS管貴;其次是功耗問(wèn)題，三極管損耗大;最后是驅(qū)動(dòng)能力，MOS管常用來(lái)電源開(kāi)關(guān)，以及大電流地方開(kāi)關(guān)電路。實(shí)際上就是三極管比較便宜，用起來(lái)方便，常用在數(shù)字電路開(kāi)關(guān)控制。MOS管用于高頻高速電路，大電流場(chǎng)合，以及對(duì)基極或漏極控制電流比較敏感的地方。一般來(lái)說(shuō)低成本場(chǎng)合，普通應(yīng)用的先考慮用三極管，不行的話考慮MOS管。實(shí)際上說(shuō)電流控制

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]場(chǎng)效應(yīng)MOS管開(kāi)關(guān)電路解析-壹芯微[ 2021-08-03 18:44 ]

場(chǎng)效應(yīng)MOS管開(kāi)關(guān)電路解析-壹芯微場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)電路是指能使模擬信號(hào)通過(guò)或阻斷的電路。在通信、雷達(dá)、計(jì)算機(jī)、自動(dòng)控制、測(cè)量?jī)x器等電子設(shè)備中，都需要用這種電路來(lái)轉(zhuǎn)換模擬信號(hào)或數(shù)字信號(hào)。場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)電路圖場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)電路原理圖中電池的正電通過(guò)開(kāi)關(guān)S1接到場(chǎng)效應(yīng)管Q1的2腳源極，但由于Q1是一個(gè)P溝道管，它的1腳柵極通過(guò)R20電阻提供一個(gè)正電位電壓，所以不能通電，電壓不能繼續(xù)通過(guò)，所以此時(shí)是關(guān)機(jī)狀態(tài)。當(dāng)按下SW1開(kāi)機(jī)按鍵時(shí)，正電通過(guò)按鍵、R11、R23、D4加到三極管Q2的基極，這時(shí)三極管Q2的基極得到一個(gè)正電位，三極管導(dǎo)

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管開(kāi)關(guān)電路圖詳解(六)[ 2021-03-27 10:04 ]

MOS管開(kāi)關(guān)電路圖詳解(六)集成芯片UC3724/3725構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路電路構(gòu)成如圖11所示。其中UC3724用來(lái)產(chǎn)生高頻載波信號(hào)，載波頻率由電容CT和電阻RT決定。一般載波頻率小于600kHz，4腳和6腳兩端產(chǎn)生高頻調(diào)制波，經(jīng)高頻小磁環(huán)變壓器隔離后送到UC3725芯片7、8兩腳經(jīng)UC3725進(jìn)行調(diào)制后得到驅(qū)動(dòng)信號(hào)，UC3725內(nèi)部有一肖特基整流橋同時(shí)將7、8腳的高頻調(diào)制波整流成一直流電壓供驅(qū)動(dòng)所需功率。一般來(lái)說(shuō)載波頻率越高驅(qū)動(dòng)延時(shí)越小，但太高抗干擾變差;隔離變壓器磁化電感越大磁化電流越小，UC3724發(fā)熱越少，但

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管開(kāi)關(guān)電路圖詳解(五)[ 2021-03-27 10:02 ]

MOS管開(kāi)關(guān)電路圖詳解(五)有隔離變壓器的互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)電路如圖10所示，V1、V2為互補(bǔ)工作，電容C起隔離直流的作用，T1為高頻、高磁率的磁環(huán)或磁罐。導(dǎo)通時(shí)隔離變壓器上的電壓為（1-D）Ui、關(guān)斷時(shí)為DUi，若主功率管S可靠導(dǎo)通電壓為12V，而隔離變壓器原副邊匝比N1/N2為12/［（1-D）Ui］。為保證導(dǎo)通期間GS電壓穩(wěn)定C值可稍取大些。該電路具有以下優(yōu)點(diǎn)：①電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可靠，具有電氣隔離作用。當(dāng)脈寬變化時(shí)，驅(qū)動(dòng)的關(guān)斷能力不會(huì)隨著變化。②該電路只需一個(gè)電源，即為單電源工作。隔直電容C的作用可以在關(guān)斷所驅(qū)動(dòng)的管子時(shí)提

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管開(kāi)關(guān)電路圖詳解(四)[ 2021-03-27 09:59 ]

MOS管開(kāi)關(guān)電路圖詳解(四)正激式驅(qū)動(dòng)電路電路原理如圖9（a）所示，N3為去磁繞組，S2為所驅(qū)動(dòng)的功率管。R2為防止功率管柵極、源極端電壓振蕩的一個(gè)阻尼電阻。因不要求漏感較小，且從速度方面考慮，一般R2較小，故在分析中忽略不計(jì)。其等效電路圖如圖9（b）所示脈沖不要求的副邊并聯(lián)一電阻R1，它做為正激變換器的假負(fù)載，用于消除關(guān)斷期間輸出電壓發(fā)生振蕩而誤導(dǎo)通。同時(shí)它還可以作為功率MOSFET關(guān)斷時(shí)的能量泄放回路。該驅(qū)動(dòng)電路的導(dǎo)通速度主要與被驅(qū)動(dòng)的S2柵極、源極等效輸入電容的大小、S1的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的速度以及S1所能提供的電流

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管開(kāi)關(guān)電路圖詳解(三)[ 2021-03-27 09:36 ]

MOS管開(kāi)關(guān)電路圖詳解(三)圖7（a）為常用的小功率驅(qū)動(dòng)電路，簡(jiǎn)單可靠成本低。適用于不要求隔離的小功率開(kāi)關(guān)設(shè)備。圖7（b）所示驅(qū)動(dòng)電路開(kāi)關(guān)速度很快，驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)，為防止兩個(gè)MOSFET管直通，通常串接一個(gè)0.5～1Ω小電阻用于限流，該電路適用于不要求隔離的中功率開(kāi)關(guān)設(shè)備。這兩種電路特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。功率MOSFET屬于電壓型控制器件，只要柵極和源極之間施加的電壓超過(guò)其閥值電壓就會(huì)導(dǎo)通。由于MOSFET存在結(jié)電容，關(guān)斷時(shí)其漏源兩端電壓的突然上升將會(huì)通過(guò)結(jié)電容在柵源兩端產(chǎn)生干擾電壓。常用的互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)斷回路阻抗小，關(guān)斷

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管開(kāi)關(guān)電路圖詳解(二)[ 2021-03-27 09:30 ]

MOS管開(kāi)關(guān)電路圖詳解(二)圖中電池的正電通過(guò)開(kāi)關(guān)S1接到場(chǎng)效應(yīng)管Q1的2腳源極，由于Q1是一個(gè)P溝道管，它的1腳柵極通過(guò)R20電阻提供一個(gè)正電位電壓，所以不能通電，電壓不能繼續(xù)通過(guò)，3v穩(wěn)壓IC輸入腳得不到電壓所以就不能工作不開(kāi)機(jī)！這時(shí)，如果我們按下SW1開(kāi)機(jī)按鍵時(shí)，正電通過(guò)按鍵、R11、R23、D4加到三極管Q2的基極，三極管Q2的基極得到一個(gè)正電位，三極管導(dǎo)通，由于三極管的發(fā)射極直接接地，三極管Q2導(dǎo)通就相當(dāng)于Q1的柵極直接接地，加在它上面的通過(guò)R20電阻的電壓就直接入了地，Q1的柵極就從高電位變?yōu)榈碗娢唬琎

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管開(kāi)關(guān)電路圖詳解(一)[ 2021-03-26 10:57 ]

MOS管開(kāi)關(guān)電路圖詳解(一)圖中電池的正電通過(guò)開(kāi)關(guān)S1接到場(chǎng)效應(yīng)管Q1的2腳源極，由于Q1是一個(gè)P溝道管，它的1腳柵極通過(guò)R20電阻提供一個(gè)正電位電壓，所以不能通電，電壓不能繼續(xù)通過(guò)，3v穩(wěn)壓IC輸入腳得不到電壓所以就不能工作不開(kāi)機(jī)！這時(shí)，如果我們按下SW1開(kāi)機(jī)按鍵時(shí)，正電通過(guò)按鍵、R11、R23、D4加到三極管Q2的基極，三極管Q2的基極得到一個(gè)正電位，三極管導(dǎo)通，由于三極管的發(fā)射極直接接地，三極管Q2導(dǎo)通就相當(dāng)于Q1的柵極直接接地，加在它上面的通過(guò)R20電阻的電壓就直接入了地，Q1的柵極就從高電位變?yōu)榈碗娢唬琎

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]解析mosfet應(yīng)用電路 mos管開(kāi)關(guān)電路知識(shí)通俗易懂[ 2020-09-14 15:27 ]

解析mosfet應(yīng)用電路 mos管開(kāi)關(guān)電路知識(shí)通俗易懂mosfet應(yīng)用電路，MOS管最顯著的特性是開(kāi)關(guān)特性好，所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開(kāi)關(guān)的電路中，常見(jiàn)的如開(kāi)關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，也有照明調(diào)光。MOS電路為單極型集成電路，又稱為MOS集成電路，它采用金屬－氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管制造，其主要特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制造方便、集成度高、功耗低，但速度較慢。mosfet應(yīng)用電路解析學(xué)習(xí)過(guò)模擬電路的人都知道三極管是流控流器件，也就是由基極電流控制集電極與發(fā)射極之間的電流；而MOS管是壓控流器件，也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管開(kāi)關(guān)頻率最高多少如何測(cè)算和MOS開(kāi)關(guān)管的損耗計(jì)算[ 2020-09-12 17:33 ]

MOS管開(kāi)關(guān)頻率最高多少如何測(cè)算和MOS開(kāi)關(guān)管的損耗計(jì)算MOS管開(kāi)關(guān)電路MOS管開(kāi)關(guān)頻率最高多少如何測(cè)算詳解，先來(lái)看看MOS管開(kāi)關(guān)電路。下為一張典型的N溝道增強(qiáng)型MOS管開(kāi)關(guān)電路原理圖：D1作用：續(xù)流二極管R1作用：1、限流電阻，減小瞬間電流值：MOS管屬于壓控型器件，兩兩引腳之間存在寄生電容（Cgs、Cgd、Cds）:規(guī)格書(shū)中一般會(huì)標(biāo)注Ciss、Coss、Crss：Ciss = Cgs + CgdCoss = Cds + CgdCrss = Cgd如圖Ciss=587pF，假設(shè)VGs=24V，dt=Tr（上升時(shí)間

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]mos管開(kāi)關(guān)電路-mos管電子開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)控制是要如何做到的[ 2020-09-02 17:40 ]

mos管開(kāi)關(guān)電路-mos管電子開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)控制是要如何做到的mos管開(kāi)關(guān)電路MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用一種電路，是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。MOS管分為N溝道與P溝道，所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種。P溝道MOS管開(kāi)關(guān)電路PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時(shí)的情況（高端驅(qū)動(dòng)）。需要注意的是，Vgs指的是柵極G與源極S的電壓，即柵極低于電源一定電壓就導(dǎo)通，而非相對(duì)于地的電壓。但是因?yàn)镻MOS導(dǎo)通內(nèi)阻比較大，所以只適用低功率的情況。大功率仍然使用

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管開(kāi)關(guān)電路知識(shí)-解析MOS管在開(kāi)關(guān)電路中的使用[ 2020-06-26 16:35 ]

MOS管開(kāi)關(guān)電路知識(shí)-解析MOS管在開(kāi)關(guān)電路中的使用MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種。一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS，導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一個(gè)系統(tǒng)里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器都集成了電荷泵，要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容，以得到足夠的

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]八大mos管開(kāi)關(guān)電路圖大全[ 2019-11-09 12:19 ]

八大mos管開(kāi)關(guān)電路圖大全(附電路圖詳情)mos管開(kāi)關(guān)電路圖概述MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用一種電路，是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。MOS管分為N溝道與P溝道，所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種。1、P溝道MOS管開(kāi)關(guān)電路PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時(shí)的情況（高端驅(qū)動(dòng)）。需要注意的是，Vgs指的是柵極G與源極S的電壓，即柵極低于電源一定電壓就導(dǎo)通，而非相對(duì)于地的電壓。但是因?yàn)镻MOS導(dǎo)通內(nèi)阻比較大，所以只適用低功率的情況。大功率仍然使用N溝道M

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]mos管應(yīng)用電路詳解-mos管開(kāi)關(guān)電路知識(shí)[ 2019-09-04 15:19 ]

MOS應(yīng)用電路分析MOS電路為單極型集成電路，又稱為MOS集成電路，它采用金屬－氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(Metal Oxide Semi-conductor Field Effect Transistor,縮寫為(MOSFET)制造，其主要特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制造方便、集成度高、功耗低，但速度較慢。MOS集成電路又分為PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor，P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體)、NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor，N溝道金屬氧化物

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]雙向mos管開(kāi)關(guān)電路的兩種方法[ 2019-05-17 14:16 ]

壹芯微作為國(guó)內(nèi)專業(yè)生產(chǎn)二三極管的生產(chǎn)廠家,生產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)是非常的成熟,進(jìn)口的測(cè)試儀器,可以很好的幫組到客戶朋友穩(wěn)定好品質(zhì),也有專業(yè)的工程師在把控穩(wěn)定質(zhì)量,協(xié)助客戶朋友解決一直客戶自身解決不了的問(wèn)題,每天會(huì)分享一些知識(shí)或者客戶的一些問(wèn)題,今天我們分享的是,雙向mos管開(kāi)關(guān)電路的兩種方法,請(qǐng)看下方第一種方式：當(dāng)你運(yùn)用3.3V的單片機(jī)的時(shí)候,電平轉(zhuǎn)換就在所難免了,經(jīng)常會(huì)遇到3.3轉(zhuǎn)5V或者5V轉(zhuǎn)3.3V的狀況,這里引見(jiàn)一個(gè)簡(jiǎn)單的電路,它能夠完成兩個(gè)電平的互相轉(zhuǎn)換(注意是,雙向的,不是單向的!).電路非常簡(jiǎn)單,僅由3個(gè)電阻加

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管開(kāi)關(guān)電路圖九種簡(jiǎn)單的簡(jiǎn)易詳解[ 2019-05-14 14:18 ]

壹芯微作為國(guó)內(nèi)專業(yè)生產(chǎn)二三極管的生產(chǎn)廠家,生產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)是非常的成熟,進(jìn)口的測(cè)試儀器,可以很好的幫組到客戶朋友穩(wěn)定好品質(zhì),也有專業(yè)的工程師在把控穩(wěn)定質(zhì)量,協(xié)助客戶朋友解決一直客戶自身解決不了的問(wèn)題,每天會(huì)分享一些知識(shí)或者客戶的一些問(wèn)題,今天我們分享的是,MOS管開(kāi)關(guān)電路圖九種簡(jiǎn)單的簡(jiǎn)易詳解,請(qǐng)看下方第一種：mos管開(kāi)關(guān)電路圖MOS管的開(kāi)關(guān)特性靜態(tài)特性MOS管作為開(kāi)關(guān)元件，同樣是工作在截止或?qū)▋煞N狀態(tài)。由于MOS管是電壓控制元件，所以主要由柵源電壓uGS決定其工作狀態(tài)。工作特性如下：※uGS<開(kāi)啟電壓UT:MO

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