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            當前位置：首頁 » 全站搜索 » 搜索：mos管開關性能
        
        
        
            
        
                
        
                    
                    
                            
        
                                
        [常見問題解答]優化MOS管開關性能：應對米勒效應的最新技術與方法[
                                        2024-05-27 10:48
                                        ]
        
                                
        
                                    一、MOSFET的驅動機制與米勒平臺在電路設計中，MOSFET的柵極驅動過程至關重要，涉及對MOSFET輸入電容的充放電，尤其是柵源極電容Cgs。一旦Cgs電荷達到門檻電壓，MOSFET即切換至開啟狀態。接著，隨著Vds下降和Id上升，MOSFET進入飽和區。然而，由于米勒效應，Vgs在一段時間內停滯，即使此時Id已達最大值，Vds仍在下降，直至米勒電容充滿電。再次將Vgs上升至驅動電壓時，MOSFET進入電阻區，Vds徹底下降至最低，完成開啟過程。米勒電容的存在限制了Vgs上升速度，影響了Vds下降速度，因此延長
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/yhmosgkgxn_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
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