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[常見問題解答]互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管的工作原理與關(guān)鍵應(yīng)用解析[ 2025-02-10 11:46 ]: 互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管（Complementary Field-Effect Transistor，CFET）作為半導(dǎo)體領(lǐng)域的新興技術(shù)，正在逐步取代傳統(tǒng)晶體管架構(gòu)，推動微電子技術(shù)的發(fā)展。一、CFET的工作原理CFET基于傳統(tǒng)場效應(yīng)晶體管（FET）的基本結(jié)構(gòu)，通過垂直堆疊NMOS和PMOS晶體管，形成互補(bǔ)結(jié)構(gòu)。其核心原理在于利用不同極性的載流子（電子和空穴）在溝道中移動，通過電場控制柵極電壓，調(diào)節(jié)溝道的導(dǎo)通和關(guān)閉狀態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)電流的開關(guān)控制。1. 垂直堆疊結(jié)構(gòu)：傳統(tǒng)的CMOS工藝中，NMOS與PMOS晶體管并排排列，而CF; http://www.kannic.com/Article/hbcxyjtgdg_1.html

[常見問題解答]基于ADC0809的數(shù)字電壓表設(shè)計(jì)介紹|壹芯微[ 2022-03-22 11:27 ]: 基于ADC0809的數(shù)字電壓表設(shè)計(jì)介紹|壹芯微 ADC0809是美國國家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的CMOS工藝8通道，8位逐次逼近式A/D模數(shù)轉(zhuǎn)換器。其內(nèi)部有一個8通道多路開關(guān)，它可以根據(jù)地址碼鎖存譯碼后的信號，只選通8路模擬輸入信號中的...; http://www.kannic.com/Article/jyadc0809ds_1.html

[常見問題解答]基于相變存儲器的驅(qū)動電路設(shè)計(jì)介紹[ 2022-01-20 15:24 ]: 基于相變存儲器的驅(qū)動電路設(shè)計(jì)介紹本文介紹設(shè)計(jì)了一種依靠電流驅(qū)動的驅(qū)動電路，整體電路由帶隙基準(zhǔn)電壓源電路、偏置電流產(chǎn)生電路、電流鏡電路及控制電路組成。該結(jié)構(gòu)用于16K以及1Mb容量的相變存儲器芯片的設(shè)計(jì)，并采用0.18m標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實(shí)現(xiàn)。該驅(qū)動電路通過Hpice仿真，表明帶隙基準(zhǔn)電壓、偏置電流均具有較高的精度，取得了良好的仿真結(jié)果。1.相變存儲器相變存儲器(PC2RAM)是一種新型半導(dǎo)體存儲器，在研發(fā)下一代高性能不揮發(fā)存儲技術(shù)的激烈競爭中，PC2RAM在讀寫速度、讀寫次數(shù)、數(shù)據(jù)保持時間、單元面積、功耗等方面的諸多; http://www.kannic.com/Article/jyxbccqdqdl_1.html

[常見問題解答]基于軌對軌CMOS運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)介紹[ 2021-12-21 14:11 ]: 基于軌對軌CMOS運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)介紹隨著SOC(SystemonChip)的迅速發(fā)展，使用深亞微米標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的模擬集成電路的設(shè)計(jì)，已成為當(dāng)前芯片設(shè)計(jì)的一種趨勢。CMOS運(yùn)算放大器是模擬電路中重要基本單元，該單元不但要具有傳統(tǒng)運(yùn)放的基本特性，如高增益、低失調(diào)等;而且隨著低電源電壓的要求，還必須具備接近于供電電源電壓和地之間(軌對軌)的輸入共模范圍和輸出擺幅。因此文中基于0.6mCMOS工藝，設(shè)計(jì)了一種軌對軌運(yùn)算放大器。該運(yùn)算放大器采用了3.3V單電源供電，其輸入共模范圍和輸出信號擺幅接近于地和電源電壓。1.軌; http://www.kannic.com/Article/jygdgcmosy_1.html

[常見問題解答]場效應(yīng)MOS管和最簡單的CMOS邏輯門電路解析-壹芯微[ 2021-08-04 11:46 ]: 場效應(yīng)MOS管和最簡單的CMOS邏輯門電路解析-壹芯微現(xiàn)代單片機(jī)主要是采用CMOS工藝制成的。以N型管為例，2端為控制端，稱為[柵極]；3端通常接地，稱為[源極]；源極電壓記作Vss，1端接正電壓，稱為[漏極]，漏極電壓記作VDD。要使1端與3端導(dǎo)通，柵極2上要加高電平。1、MOS管MOS管又分為兩種類型：N型和P型。如下圖所示：以N型管為例，2端為控制端，稱為[柵極]；3端通常接地，稱為[源極]；源極電壓記作Vss，1端接正電壓，稱為[漏極]，漏極電壓記作VDD。要使1端與3端導(dǎo)通，柵極2上要加高電平。對P型管，; http://www.kannic.com/Article/cxymosghzjd_1.html

[行業(yè)資訊]XC6206-1.8,XC6206-2.5低壓差線性穩(wěn)壓電路引腳及參數(shù)中文資料(圖) - 壹芯微[ 2021-07-24 09:40 ]: XC6206-1.8,XC6206-2.5低壓差線性穩(wěn)壓電路引腳及參數(shù)中文資料(圖) - 壹芯微XC6206-1.8,XC6206-2.5（200mA低壓差線性穩(wěn)壓調(diào)節(jié)器）品牌：壹芯微|類型：穩(wěn)壓電路|封裝：SOT-23/SOT-89|多種封裝尺寸不同參數(shù)一致免費(fèi)樣品歡迎咨詢概述：XC6206系列是一款高精度,低功耗,3引腳LDO高電壓調(diào)整器芯片,并采用 CMOS工藝和激光微調(diào)技術(shù). 在輸出電流較大的情況下,輸入輸出壓差也能很小。XC6206系列芯片內(nèi)部包括一個電流限制電路,一個驅(qū)動三極管,一個高精度參考電; http://www.kannic.com/Article/xc620618xc_1.html

[行業(yè)資訊]HT7130,HT7133,HT7150低壓差線性穩(wěn)壓電路引腳及參數(shù)中文資料(圖) - 壹芯微[ 2021-07-24 09:20 ]: HT7130,HT7133,HT7150低壓差線性穩(wěn)壓電路引腳及參數(shù)中文資料(圖) - 壹芯微HT7130,HT7133,HT7150（30A線性穩(wěn)壓調(diào)節(jié)器）品牌：壹芯微|類型：穩(wěn)壓電路|封裝：SOT-89/TO-92|多種封裝尺寸不同參數(shù)一致免費(fèi)樣品歡迎咨詢一般特征：HT71XX系列是三端低功耗的線性調(diào)節(jié)穩(wěn)壓器（也叫LDO），輸入電壓范圍可達(dá)到24V。有輸出電壓3.0V、3.3V、 3.6V共3款可選。 CMOS工藝確保低dropout，低靜態(tài)電流。· 低功耗 · 低壓差; http://www.kannic.com/Article/ht7130ht71_1.html

[常見問題解答]MOS管工藝-CMOS工藝圖解[ 2020-11-12 17:15 ]: MOS管工藝-CMOS工藝圖解CMOS工藝詳細(xì)解析CMOS工藝與NMOS(或PMOS)工藝不同之處是要在同一個襯底上同時制造出n-溝和p-溝晶體管。在NMOS工藝中看到，襯底的摻雜類型和摻雜水平是按照在它上面要制造的n-溝器件的要求來選擇的。很明顯,在CMOS工藝中,原材料或者是滿足n-溝器件的要求，或者是滿足p-溝器件的要求，但不能同時滿足兩者的要求。為了適應(yīng)不能在原材料上制造的那種類型器件的需要，必須形成與原材料摻雜類型相反的區(qū)域，如圖10.17中的二個剖面所示。這些摻雜類型相反的區(qū)域一般稱為“阱&; http://www.kannic.com/Article/mosggycmos_1.html

[常見問題解答]MOS管以及簡單CMOS邏輯門電路原理圖解析[ 2020-10-24 16:56 ]: MOS管以及簡單CMOS邏輯門電路原理圖解析A端為高電平時，P型MOS管截止，N型MOS管導(dǎo)通，輸出端C的電平與Vss保持一致，輸出低電平；①、A、B輸入均為低電平時，1、2管導(dǎo)通，3、4管截止，C端電壓與VDD一致，輸出高電平。了解MOS管及簡單CMOS邏輯門電路原理圖解析！現(xiàn)代單片機(jī)主要是采用CMOS工藝制成的。1、MOS管又分為兩種類型：N型MOS管和P型MOS管。如下圖所示：N型MOS管和P型MOS管區(qū)別圖以N型MOS管為例，2端為控制端，稱為“柵極”；3端通常接地，稱為&ldquo; http://www.kannic.com/Article/mosgyjjdcm_1.html

[常見問題解答]可控硅結(jié)構(gòu)靜電防護(hù)器件降低觸發(fā)電壓提高開啟速度的方法[ 2019-12-10 12:02 ]: 可控硅結(jié)構(gòu)靜電防護(hù)器件降低觸發(fā)電壓提高開啟速度的方法可控硅SCR(Silicon Controlled Rectifier)結(jié)構(gòu)靜電防護(hù)器件由于其自身的正反饋機(jī)制，具有單位面積泄放電流高、導(dǎo)通電阻小、魯棒性強(qiáng)、防護(hù)級別高的優(yōu)點(diǎn)，但同時它還引入了觸發(fā)電壓高響應(yīng)速度慢、維持電壓低易閂鎖的缺點(diǎn)。本文介紹可控硅結(jié)構(gòu)靜電防護(hù)器件降低觸發(fā)電壓提高開啟速度的方法。可控硅器件能夠以較小的版圖面積獲得較高ESD防護(hù)等級，因此，此類器件已在集成電路片上靜電防護(hù)中占有一席之地。但是在深亞微米CMOS工藝中SCR器件仍然具有高的開啟電壓的; http://www.kannic.com/Article/kkgjgjdfhq_1.html

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