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        [常見問(wèn)題解答]如何區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管和肖特基二極管[ 2023-02-16 15:42 ]
        什么是場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的簡(jiǎn)稱,應(yīng)為縮寫為FET。場(chǎng)效應(yīng)管通常分為兩類:1)JFET和MOSFET。這兩類場(chǎng)效應(yīng)管都是壓控型的器件。場(chǎng)效應(yīng)管有三個(gè)電極,分別為:柵極G、漏極D和源極S。目前MOSFET應(yīng)用廣泛,JFET相對(duì)較少。MOSFET可以分為NMOS和PMOS,下圖是PMOS的結(jié)構(gòu)圖、NMOS和MOSFET的電路符號(hào)圖。PMOS的結(jié)構(gòu)是這樣的: 在N型硅襯底上做了兩個(gè)P型半導(dǎo)體的P+區(qū),這兩個(gè)區(qū)分別叫做源極S和漏極D,在N型半導(dǎo)體的絕緣層上引出柵極G。NMOS的實(shí)物圖和引腳分布如下圖所示。什么是肖
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        [常見問(wèn)題解答]低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 4N10 國(guó)產(chǎn)MOS管替換 MOSFET應(yīng)用領(lǐng)域[ 2021-11-11 18:16 ]
        低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 4N10 國(guó)產(chǎn)MOS管替換 MOSFET應(yīng)用領(lǐng)域低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 4N10的特點(diǎn):VDS=100VID=3.8ARDS(ON)<240mΩ@VGS=10V封裝:SOT-23-3L低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 4N10的應(yīng)用領(lǐng)域:負(fù)載開關(guān)電池保護(hù)不間斷電源低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 4N10的極限值:(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)漏極-源極電壓 VDS:100V柵極-源極電壓 VGS:±20V漏極電流-連續(xù) ID:3.5A漏極電流-脈沖 IDM:8A總耗散功率 PD:3.76W存儲(chǔ)溫度 TSTG:-55~150℃工
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        [常見問(wèn)題解答]MOS場(chǎng)效應(yīng)管的分類,區(qū)分與寄生二極管 - 壹芯微[ 2021-08-13 13:57 ]
        MOS場(chǎng)效應(yīng)管的分類,區(qū)分與寄生二極管 - 壹芯微場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型(JFET)和金屬-氧化物-半導(dǎo)體型(MOSFET)兩種類型,MOSFET應(yīng)用廣泛,結(jié)型管(JFET)幾乎不用,MOSFET一般稱MOS管。MOSFET有增強(qiáng)型(EMOS)和耗盡型(DMOS)兩大類,增強(qiáng)型和耗盡型每一類下面都有(NMOS)和(PMOS)。一般主板上使用最多的是增強(qiáng)型的MOS管,NMOS最多,一般用在信號(hào)控制方面;其次是PMOS,PMOS用在電源開關(guān)等方面,耗盡型幾乎不用。場(chǎng)效應(yīng)管分類二、區(qū)分箭頭指向G極的為NMOS;箭頭背向G極的為
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        [常見問(wèn)題解答]怎樣區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管-功率管-特肖基二極管[ 2021-04-14 10:11 ]
        怎樣區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管-功率管-特肖基二極管題目中的特肖基二極管的正確說(shuō)法是肖特基二極管,功率管是一類大功率器件的總稱,是一種統(tǒng)稱,如大功率三極管、大功率二極管、大功率MOS管等。下面介紹一下如何區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管和肖特基二極管。什么是場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的簡(jiǎn)稱,應(yīng)為縮寫為FET。場(chǎng)效應(yīng)管通常分為兩類:1)JFET和MOSFET。這兩類場(chǎng)效應(yīng)管都是壓控型的器件。場(chǎng)效應(yīng)管有三個(gè)電極,分別為:柵極G、漏極D和源極S。目前MOSFET應(yīng)用廣泛,JFET相對(duì)較少。MOSFET可以分為NMOS和PMOS,下圖是PMOS的結(jié)構(gòu)圖
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        [常見問(wèn)題解答]mosfet應(yīng)用-MOSFET在開關(guān)電路中的應(yīng)用和開關(guān)特性詳解[ 2020-09-15 17:20 ]
        mosfet應(yīng)用-MOSFET在開關(guān)電路中的應(yīng)用和開關(guān)特性詳解mosfet本文主要講mosfet應(yīng)用開關(guān)電路中。mosfet簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。 [1]  MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型
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        [常見問(wèn)題解答]解析mosfet應(yīng)用電路 mos管開關(guān)電路知識(shí)通俗易懂[ 2020-09-14 15:27 ]
        解析mosfet應(yīng)用電路 mos管開關(guān)電路知識(shí)通俗易懂mosfet應(yīng)用電路,MOS管最顯著的特性是開關(guān)特性好,所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開關(guān)的電路中,常見的如開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng),也有照明調(diào)光。MOS電路為單極型集成電路,又稱為MOS集成電路,它采用金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管制造,其主要特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制造方便、集成度高、功耗低,但速度較慢。mosfet應(yīng)用電路解析學(xué)習(xí)過(guò)模擬電路的人都知道三極管是流控流器件,也就是由基極電流控制集電極與發(fā)射極之間的電流;而MOS管是壓控流器件,也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間
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        地 址/Address

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        深圳辦事處地址:深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
        中山辦事處地址:中山市古鎮(zhèn)長(zhǎng)安燈飾配件城C棟11卡
        杭州辦事處:杭州市西湖區(qū)文三西路118號(hào)杭州電子商務(wù)大廈6層B座
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