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        [技術文章]CD4078 典型應用電路[
                                        2024-05-14 11:18
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                                    CD4078 是一種高效能的CMOS集成電路，專為多輸入邏輯運算設計。一、應用場景：1. 復雜邏輯系統： CD4078 由于其能夠處理多達八個輸入的邏輯門功能，非常適合用于需要復雜決策邏輯的系統，如高級計算機輔助設計和故障分析系統。2. 安全與監(jiān)控設備： 在安全系統中，如煙霧報警和入侵檢測系統，CD4078 能整合來自各種傳感器的信號，一旦任一信號被觸發(fā)，即可激活警報。3. 信號整合： 在通信設備中，CD4078 可以用來整合多路信號輸入，實現高效的信號管理和控制，提升系統的響應速度和可靠性。4. 自動控制系統： 
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/cd4078dxyy_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]探索CMOS集成電路的核心特性及其與TTL電路的比較[
                                        2024-05-08 10:34
                                        ]
        
                                
        
                                    一、TTL與CMOS的優(yōu)缺點對比盡管CMOS技術在功率消耗方面表現出眾，TTL技術由于其穩(wěn)定的輸入特性和較高的輸出電流能力，在某些應用中仍有優(yōu)勢。TTL的電流需求較大，因為它依賴于雙極晶體管的基極電流來激活，而CMOS僅依賴于柵極的微小漏電。盡管如此，高速應用中CMOS可能需要大電流以確保快速的信號上升時間。此外，TTL更能抵抗電壓波動和靜電干擾，而CMOS易受靜電放電影響，需特別防護。二、CMOS集成電路的獨特性能與應用CMOS集成電路以其低功耗和寬工作電壓范圍而聞名。其特有的互補晶體管配置確保了在一個晶體管導通
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/tscmosjcdl_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]cmos電路中esd保護結構原理及應用[
                                        2022-11-29 15:21
                                        ]
        
                                
        
                                    ESD(靜電放電)是CMOS電路中最為嚴重的失效機理之一，嚴重的會造成電路自我燒毀。論述了CMOS集成電路ESD保護的必要性，研究了在CMOS電路中ESD保護結構的設計原理，分析了該結構對版圖的相關要求，重點討論了在I/O電路中ESD保護結構的設計要求。1 引言靜電放電會給電子器件帶來破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來越薄，芯片的面積規(guī)模越來越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來越小，而外圍的使用環(huán)境并未改變，因此要進一步優(yōu)
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/cmosdlzesd_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]CMOS集成電路低功耗的設計方法介紹[
                                        2021-12-22 11:33
                                        ]
        
                                
        
                                    CMOS集成電路低功耗的設計方法介紹目前，隨著一些便攜式電子系統，如筆記本電腦、PDA、手機等的廣泛應用，集成電路的功耗也被提到與面積和速度同等重要的位置。如果仍使用傳統的技術，就可能負擔相當重量的電池，或者電池的使用時間相當短;而隨著集成電路集成度的提高，在設計時若不考慮功耗問題，可能會使電路某些部分因功耗過大引起溫度過高，導致系統工作不穩(wěn)定或失效;功耗過大也會給封裝帶來很大困難，因此本文分別對CMOS集成電路的功耗來源和低功耗的設計方法及設計工具等進行了介紹。1.CMOS電路功耗的來源CMOS電路中有兩種主要的
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/cmosjcdldgh_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]CMOS集成電路的接口電路設計詳細介紹[
                                        2021-12-21 14:15
                                        ]
        
                                
        
                                    CMOS集成電路的接口電路設計詳細介紹CMOS集成電路是互補型金屬氧化物半導體電路(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor)的英文字頭縮寫，它由絕緣場效應晶體管組成，由于只有一種載流子，因而是一種單極型晶體管集成電路;所以在應用過程中，不可避免地要遇到不同類別的器件間相互連接問題。當各器件的邏輯電平互不一致，不能正確接受和傳遞信息時，就要使用接口電路。本文介紹了兩類的接口電路設計。這里主要介紹兩類接口。一、CMOS集成電路驅動其它器件1.CMOS-TTL集成電路的接口由于TTL
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/cmosjcdldjk_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]CMOS集成電路低功耗的設計方法介紹[
                                        2021-12-01 16:42
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                                    CMOS集成電路低功耗的設計方法介紹目前，隨著一些便攜式電子系統，如筆記本電腦、PDA、手機等的廣泛應用，集成電路的功耗也被提到與面積和速度同等重要的位置。如果仍使用傳統的技術，就可能負擔相當重量的電池，或者電池的使用時間相當短;而隨著集成電路集成度的提高，在設計時若不考慮功耗問題，可能會使電路某些部分因功耗過大引起溫度過高，導致系統工作不穩(wěn)定或失效;功耗過大也會給封裝帶來很大困難，因此本文分別對CMOS集成電路的功耗來源和低功耗的設計方法及設計工具等進行了介紹。1.CMOS電路功耗的來源CMOS電路中有兩種主要的
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/cmosjcdldg_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]CMOS集成電路的接口電路設計介紹[
                                        2021-11-30 12:20
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                                    CMOS集成電路的接口電路設計介紹CMOS集成電路是互補型金屬氧化物半導體電路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)的英文字頭縮寫，它由絕緣場效應晶體管組成，由于只有一種載流子，因而是一種單極型晶體管集成電路;所以在應用過程中，不可避免地要遇到不同類別的器件間相互連接問題。當各器件的邏輯電平互不一致，不能正確接受和傳遞信息時，就要使用接口電路。本文介紹了兩類的接口電路設計。這里主要介紹兩類接口。一、CMOS集成電路驅動其它器件1.CMOS-TTL集成電路的接口由于TTL的
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/cmosjcdldj_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]詳解MOS管N溝道與P溝道兩種類型 - 壹芯微[
                                        2021-08-16 13:35
                                        ]
        
                                
        
                                    詳解MOS管N溝道與P溝道兩種類型 - 壹芯微了解MOS/CMOS集成電路MOS集成電路特點：制造工藝比較簡單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡單，集成度高、抗干擾能力強，特別適合于大規(guī)模集成電路。MOS集成電路包括:NMOS管組成的NMOS電路、PMOS管組成的PMOS電路及由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補MOS電路，即CMOS電路。PMOS門電路與NMOS電路的原理完全相同，只是電源極性相反而已。數字電路中MOS集成電路所使用的MOS管均為增強型管子，負載常用MOS管作為有源負載，這樣不僅節(jié)省了硅
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/xjmosgngdy_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業(yè)資訊]「100N03,120N03,80N07」N溝道MOS管和P溝道MOS管全面解析(圖)-壹芯微[
                                        2021-07-27 09:30
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                                    「100N03,120N03,80N07」N溝道MOS管和P溝道MOS管全面解析(圖)-壹芯微型號：100N03(100A,30V) 120N03(120A,30V) 80N07(80A,70V)品牌：壹芯微|類型：場效應管MOSFET|封裝：TO-220/TO252|多種封裝 尺寸不同 參數一致 免費樣品 歡迎咨詢MOS/CMOS集成電路MOS集成電路特點：制造工藝比較簡單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡單，集成度高、抗干擾能力強，特別適合于大規(guī)模集成電路。MOS集成電路包括:NMOS管組成的NMOS電
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/100n03120n_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]十條MOS管集成電路操作準則介紹[
                                        2020-04-27 11:30
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                                    十條MOS管集成電路操作準則介紹所有MOS管集成電路(包括P溝道MOS,N溝道MOS，互補MOS管-CMOS集成電路)都有一層絕緣柵極，以防止電壓擊穿。一般器件的絕緣柵氧化層的厚度大約是25nm50nm80nm三種。在集成電路高阻抗柵前面還有電阻一二極管網絡進行保護，雖然如此，器件內的保護網絡還不足以免除對器件的靜電損害(ESD)，實驗指出，在高電壓放電時器件會失效，器件也可能為多次較低電壓放電的累積而失效。按損傷的嚴重程度靜電損害有多種形式，最嚴重的也是最容易發(fā)生的是輸入端或輸出端的完全破壞以至于與電源端VDDG
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/stmosgjcdl_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]CMOS-CMOS集成電路閂鎖效應措施解析[
                                        2019-09-17 11:17
                                        ]
        
                                
        
                                    cmos應用在CMOS應用中能同時將p溝道m(xù)os管與n溝道MOSFET制作在同一片芯片上．需要額外的摻雜及擴散步驟，以便在襯底中成“阱”或“盆(tub)”．阱中的摻雜種類與周圍襯底不同．阱的典型種類有p阱、n阱以及雙阱．阱技術的詳細內容將于第14章中討論．圖6. 31為使用p阱技術制作的CMOS反相器的剖面圖．在此圖中，p溝道與n溝道MoSFET分別制作于n型硅襯底以及p阱之中．cmos電路CMOS電路的阱結構最主要的問題在于閂鎖現象，閂鎖是由阱結構中寄生的pn&md
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/cmoscmosjc_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]N溝道MOS管和P溝道MOS管的區(qū)別[
                                        2019-05-13 11:22
                                        ]
        
                                
        
                                    壹芯微作為國內專業(yè)生產二三極管的生產廠家,生產技術已經是非常的成熟,進口的測試儀器,可以很好的幫組到客戶朋友穩(wěn)定好品質,也有專業(yè)的工程師在把控穩(wěn)定質量,協助客戶朋友解決一直客戶自身解決不了的問題,每天會分享一些知識或者客戶的一些問題,今天我們分享的是,N溝道MOS管和P溝道MOS管的區(qū)別,請看下方先講講MOS/CMOS集成電路MOS集成電路特點：制造工藝比較簡單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡單，集成度高、抗干擾能力強，特別適合于大規(guī)模集成電路。MOS集成電路包括:NMOS管組成的NMOS電路、PMOS管
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/ngdmosghpg_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
                地 址/Address
        
            
        
                工廠地址：安徽省六安市金寨產業(yè)園區(qū)
                
        
                深圳辦事處地址：深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮(zhèn)長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區(qū)文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
        
                電話：13534146615
                企業(yè)QQ：2881579535
            
        
        
        
        
        
            
        
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