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[常見問題解答]高效開關電源開發需掌握的十大核心技術[ 2025-04-19 11:10 ]

隨著電子設備向輕量化、高功率密度和低能耗方向不斷發展，開關電源技術作為其中的核心支撐，其設計水平直接影響系統性能、產品穩定性與能效比。一、功率拓撲架構的合理選擇不同的應用場景對電源轉換結構有不同的要求。常見的有Buck、Boost、Flyback、Full-Bridge等形式，選擇何種拓撲結構必須依據輸入輸出參數、變換效率以及可靠性要求綜合判斷。在高效率設計中，軟開關拓撲（如LLC諧振）和雙有源橋結構越來越受到關注。二、磁性元件的高頻化優化在高頻開關電源中，磁性元件的性能直接影響整體效率與尺寸。選用低損耗磁材、優化

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[常見問題解答]SiC MOSFET動態響應性能分析與優化[ 2025-04-10 11:51 ]

隨著電力電子技術的迅猛發展，SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導體器件，因其高效能、高溫穩定性以及較低的導通電阻，逐漸成為高頻、高溫及高功率密度應用中的首選元件。然而，SiC MOSFET的動態響應性能，特別是在高頻開關操作下的表現，對于其在實際應用中的優劣具有至關重要的影響。因此，分析與優化SiC MOSFET的動態響應性能成為了提升其整體性能和應用潛力的關鍵。一、SiC MOSFET動態響應性能概述SiC MOSFET的動態響應性能主要指其在開關操作過程中，特別是在頻繁的開通和關斷過程中，表現出的電流、電

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[常見問題解答]3千瓦LLC拓撲中SiC MOSFET的集成優化路徑[ 2025-04-07 12:10 ]

在高效電源系統快速發展的背景下，LLC諧振變換器憑借其高效率和低電磁干擾特性，逐漸成為中高功率密度應用的首選拓撲之一。而在實現高頻率、高效率運行的過程中，碳化硅（SiC）MOSFET的集成應用正成為性能突破的關鍵路徑之一。一、SiC MOSFET在3kW LLC中的技術適配性LLC拓撲本身以其軟開關特性（ZVS或ZCS）有效降低開關損耗，適合高頻操作。將SiC MOSFET引入該拓撲后，其具備的低導通電阻、高擊穿電壓和極低的反向恢復電荷特性，使其更適用于200kHz~500kHz以上的工作頻率區間。相比傳統硅基MO

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[常見問題解答]揭示雙管正激效率瓶頸：設計與損耗的平衡難題[ 2025-03-25 14:45 ]

雙管正激（Dual Active Bridge, DAB）變換器作為一種具有雙向能量傳輸能力的高頻功率變換拓撲，被廣泛應用于電動汽車充電樁、儲能系統、服務器供電模塊、光伏逆變器以及直流微電網等中高功率場景中。DAB結構具有拓撲簡潔、能量雙向流動、適配軟開關、高功率密度等優點，理論上轉換效率可以達到96%甚至更高。然而，理想與現實之間總存在差距。即使采用先進控制策略與高性能器件，雙管正激的實測效率仍常常低于設計預期。這背后隱藏著多個“效率殺手”，它們既來自器件本身的物理特性，也來自控制系統、P

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[常見問題解答]IGBT驅動光耦：提升功率轉換效率的核心器件[ 2024-12-30 12:07 ]

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）在現代電力電子技術中已成為不可或缺的核心部件，其優異的絕緣性能以及作為IGBT驅動光的重要輔助器件，對于高效率、高功率密度的應用尤為重要。光耦合器的IGBT驅動的基本原理基于光的傳輸，利用發光二極管（LED）和光電晶體管進行信號和信號控制。當控制電路輸入信號時，驅動光耦合器的LED發射光，光電接收器接收光信號，該信號被轉換成電信號以控制IGBT的開關狀態。這種工作方式不僅能夠隔離控制電路中大功率電路的干擾，還可以有效提高系統的安全性和穩定性。一、信號隔離和安全保護在高壓或大功率場景下，控

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[常見問題解答]功率半導體封裝技術的發展趨勢與挑戰[ 2024-10-24 14:58 ]

功率半導體作為現代電子系統的核心元件，在各種電力電子應用中具有重要地位。隨著技術的進步和市場需求的增加，功率半導體封裝技術的發展趨于多元化，同時也面臨著諸多挑戰。本文介紹了當前功率半導體封裝技術的發展趨勢和主要挑戰。一、封裝技術發展的驅動力由于高效率和高密度的需求，封裝技術的進步是功率半導體封裝技術發展的主要驅動力之一。電動汽車等領域的功率器件隨著可再生能源和工業的自動化程度不斷提高，封裝技術的創新變得至關重要。高功率密度設備需要有效的熱管理，以確保高負載條件下的可靠性和耐用性。因此，封裝技術需要具備更高效的散熱能

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[常見問題解答]詳解雙升壓拓撲結構中升壓芯片功率計算公式[ 2024-07-29 15:52 ]

開關電源由于其高效和高功率密度，在電源領域廣泛應用。然而，傳統橋式整流和大電容濾波的開關電源功率因數通常在0.50-0.76之間，會對電網產生嚴重污染，成為電力公害。為了應對這一問題，國家技術監督局于1994年頒布了《電能質量公用電網諧波》標準GB/T14549-93。國際電工學會也在1988年修訂了IEC555-2諧波標準，歐洲則制定了IEC1000-3-2標準。隨著技術的進步，采用升壓變換器結構的有源PFC電路在中大功率電源設計中成為主流，以滿足諧波國標的要求。美芯晟憑借在電源模擬芯片行業的多年經驗，推出了增強

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[常見問題解答]提高能效與穩定性：移相全橋DC/DC變換器的最新技術發展[ 2024-05-11 11:19 ]

一、引言在電力電子技術逐漸成熟的背景下，開關電源的發展趨勢是朝向更輕、體積更小、高頻化和效率更高的方向。為實現這些目標，本文采用了軟開關技術，通過使開關管實現零電壓開通或零電流關斷，既提高了效率，也減少了電磁干擾。此外，研究發現，配備飽和電感的移相全橋DC/DC變換器不僅能更有效地實現零電壓切換，還能減少占空比的損失。二、設計目標與應用現狀目前，高功率密度和大容量是變換器技術發展的關鍵方向。在多數應用場景中，幾百伏的直流電壓通常是通過較低電壓轉換得來的，以供給逆變器或負載使用。然而，在DC/DC變換器處于低壓高電流

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[技術文章]AO4468 典型應用電路[ 2024-05-09 15:19 ]

AO4468是一款N溝道場效應管，具有廣泛的應用場景和參數特點。下面將詳細介紹其應用場景和參數特點。一、應用場景：1. 電源管理：在電源管理電路中，AO4468常被用作低壓、低功耗的開關元件，用于穩壓、開關和逆變等功能。其低導通電阻和低開關損耗使其在高效率的電源轉換中得到廣泛應用。2. 電機驅動：在電機控制領域，AO4468可用作功率開關，用于控制電機的啟停和速度調節。其高功率密度和優秀的電性能使其成為電機驅動系統的重要組成部分。3. LED照明：作為LED驅動電路中的開關元件，AO4468能夠提供穩定的電流輸出，

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[常見問題解答]從基礎到高階：MOS管在開關電源應用中的全面指南[ 2024-04-29 10:51 ]

金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）在現代電子技術中扮演著不可或缺的角色，特別是在開關電源的設計與開發中。作為電力轉換和電能管理的核心部件，開關電源的性能與效率極大依賴于對MOSFET的恰當選擇與運用。本文深入分析了MOSFET在開關電源中的關鍵職能，并探討其關鍵性能參數對電源系統整體表現的具體影響。在開關電源的設計領域內，MOSFET的價值不可小覷。其卓越的高頻開關功能允許在高頻率下進行有效的能量轉換，促進設備小型化，提高功率密度和能效。MOSFET之所以關鍵，在于其快速開關屬性與低驅動損耗的特性，這些都

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[常見問題解答]TL431在開關電源反饋回路中的應用設計介紹|壹芯微[ 2022-03-02 17:19 ]

TL431在開關電源反饋回路中的應用設計介紹|壹芯微隨著半導體行業的發展，開關電源的應用場合不斷拓寬。同時，對開關電源的要求也不斷提高。高功率密度、小體積、低價格成為開關電源行業的趨勢。在半導體技術迅猛發展的...

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[根欄目]電源模塊設計面臨的挑戰及未來的發展趨勢[ 2021-01-08 17:23 ]

電源模塊設計面臨的挑戰及未來的發展趨勢電源模塊是開關電源的一個發展趨勢，隨著電源技術的發展，使開關電源實現模塊化成為可能。電源在系統設計中非常重要，因為電源如果不好就會導致電子設備系統的不穩定。下面來探討下電源模塊的設計，及對未來發展趨勢進行簡要分析。近年來，電源模塊的需求持續向高功率密度、高效率和高電流低電壓方向發展。隔離模塊的設計主要還是采用單端反激、單端正激、正反激組合、推挽、橋式變換等傳統的電路拓撲，非隔離模塊采用BUCK、BOOST等。關于高效率方面，為了提高效率可以結合各種軟開關技術，包括無源無損軟開關

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[常見問題解答]DC/DC電源模塊的基礎拓撲知識普及[ 2021-01-08 17:03 ]

DC/DC電源模塊的基礎拓撲知識普及電源模塊主要分為AC-DC和DC-DC兩種。對于AC-DC電源模塊，無論是網絡上還是實際電源設計上都有不少，倒是DC-DC電源模塊的相關資料較少。本文對DC-DC電源模塊拓撲電路進行梳理，是一篇基礎的電源知識類文章。這里說的DC-DC電源模塊指工業、軌道交通、通信、軍事等領域用的嵌入式電源模塊，這類電源追求的是高功率密度、高效率及高可靠性。就目前而言，對成本雖有要求，但遠沒有常規的AC-DC電源模塊那么敏感。且為了達到高性能，一般不會像AC-DC電源模塊那樣，DC-DC電源模塊在

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[常見問題解答]1200V/30A碳化硅(SiC)肖特基二極管知識[ 2020-06-03 17:16 ]

1200V/30A碳化硅(SiC)肖特基二極管知識碳化硅（SiC）是一種高性能的半導體材料，基于SiC的肖特基二極管（SiC Schottky Diode）具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在電力電子技術領域打破硅的極限，成為新能源及電力電子的首選器件。肖特基二極管原理圖示例FFSH30120ADN碳化硅肖特基二極管沒有開關損耗，利用新的半導體材料 —— 碳化硅（SiC）提升了硅二極管的系統效率，支持更高的工作頻率，并且有助于提高功率密度，降低系統尺寸/成本。碳化硅肖特

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[常見問題解答]高性能(SiC)肖特基二極管的特性資料[ 2019-10-09 14:02 ]

高性能肖特基二極管材料碳化硅（SiC）是一種高性能的半導體材料，基于SiC的肖特基二極管（SiC Schottky Diode）具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在電力電子技術領域打破硅的極限，成為新能源及電力電子的首選器件。肖特基二極管電路符號碳化硅肖特基二極管特性安森美半導體（onsemi）推出的FFSH30120ADN碳化硅肖特基二極管沒有開關損耗，利用新的半導體材料 —— 碳化硅（SiC）提升了硅二極管的系統效率，支持更高的工作頻率，并且

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[常見問題解答]增強型溝道IGBT與場充電控制二極管[ 2019-09-28 14:16 ]

GBT和二極管性能的下一次飛躍未來一代IGBT模塊將采用增強型溝道ET-IGBT和場充電提取（FCE）二極管，能夠提供更高水平的電氣性能，包括低損耗、良好的可控性、高耐用性和軟二極管反向恢復等方面。盡管，過去二十年絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和反并聯二極管已經經歷了重大突破，相對于導致器件整體性能明顯飛躍的器件工藝和設計理念，進一步開發工作正在進行中，為的是實現新水平的更高功率密度、更好的操控性和耐用性。在這篇文章中，我們首先將簡要地討論目前IGBT和二極管的發展趨勢，同時專注于下一代技術；即增強型溝道IGBT（E

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[常見問題解答]cool mos作用是什么-散熱措施有什么方法[ 2019-06-14 10:47 ]

壹芯微作為國內專業生產二三極管的生產廠家,生產技術已經是非常的成熟,進口的測試儀器,可以很好的幫組到客戶朋友穩定好品質,也有專業的工程師在把控穩定質量,協助客戶朋友解決一直客戶自身解決不了的問題,每天會分享一些知識或者客戶的一些問題,今天我們分享的是,cool mos作用是什么-散熱措施有什么方法,請看下方COOLMOS近來，LLC拓撲以其高效，高功率密度遭到廣闊電源規劃工程師的喜愛，可是這種軟開關拓撲對MOSFET的要求卻超過了以往任何一種硬開關拓撲。特別是在電源啟機，動態負載，過載，短路等情況下。CoolMOS

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