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        [常見問題解答]離子注入技術中的暈環現象：影響因素與控制策略[
                                        2025-01-06 12:28
                                        ]
        
                                
        
                                    離子注入技術是影響集成電路性能的重要工藝之一，特別是在MOSFET器件的特征尺寸不斷縮小的背景下，離子注入技術變得越來越精確和可控。在離子注入過程中，光暈現象是一種顯著的物理效應，它直接影響半導體器件的性能。本文詳細介紹了暈圈現象的產生原因、影響因素以及控制策略，旨在幫助理解暈圈現象在離子注入中的作用。一、暈圈現象的基本概述光暈效應通常指在離子注入過程中，離子束的不均勻分布導致注入區域邊緣形成濃度過渡區。光暈效應與離子束的擴散和散射密切相關，尤其在半導體器件的制造中，它會引起閾值電壓的變化和寄生電容的增加，從而影響
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/lzzrjszdyh_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]探索碳化硅半導體的未來：全面分析碳化硅產業鏈[
                                        2024-06-14 11:24
                                        ]
        
                                
        
                                    一、碳化硅半導體產業鏈展望碳化硅半導體技術的進步預示著其產業鏈的未來將迎來新的發展趨勢。首先，襯底制備技術的創新將推動碳化硅襯底朝向更高純度、更低成本和更高質量的方向進化。例如，外延生長法的采用，預計將成為制備高質量6H-SiC襯底的主流方法。其次，為了提升器件性能和降低成本，器件制造工藝也將經歷優化，如新型光刻和離子注入技術將實現更細致的器件結構。此外，隨著器件性能的提升，碳化硅半導體將擴展至新能源汽車和智能電網等新興應用領域。二、碳化硅半導體應用在電力電子、射頻器件和光電子領域，碳化硅半導體已顯現其卓越性能。這
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/tsthgbdtdw_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]場限環的發展歷程及其未來趨勢[
                                        2024-04-18 10:07
                                        ]
        
                                
        
                                    一、場限環與場效應管的結合使用場限環(Field Limiting Ring)技術，在功率半導體器件中發揮關鍵作用，尤其在與場效應管（如金屬氧化物半導體場效應管，MOSFET）結合時，可以顯著提升器件的耐壓性能和穩定性。場效應管利用電場控制電流的特性，與場限環技術結合，能夠有效抑制電壓高壓下的電場集中，防止器件因電場過強而損壞。二、場限環的技術原理與設計場限環通常設于半導體器件的邊緣，通過離子注入或擴散工藝形成高摻雜區域。這一技術基于摻雜濃度對電場分布的調控，通過增加載流子濃度，減小空間電荷區的寬度，從而在高電壓工
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/cxhdfzlcjq_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]IGBT激光退火技術解析[
                                        2023-06-08 17:47
                                        ]
        
                                
        
                                    IGBT激光退火技術解析激光退火是絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)背面工藝的重要步驟。對離子注入后的硅基IGBT 圓片背面進行激光快速退火，實現激活深度，有效修復離子注入破壞的晶格結構。隨著IGBT技術發展和薄片加工工藝研發的需要，IGBT背面退火越來越多應用激光退火技術。1.IGBT退火技術在垂直方向上，IGBT結構經歷了穿通型（pouch through，PT），非穿通型（non pouch through，NPT）和電場截止型（field stop，FS），使器件的整體性能不斷提高。圖 IGBT結構的變化在NP
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/igbtjgthjs_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]CMOS知識普及-分析CMOS電路中的阱[
                                        2020-11-10 17:01
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                                    CMOS知識普及-分析CMOS電路中的阱CMOS電路中的阱在CMOS電路的工藝結構中,應用在襯底上形成反型的阱是一大特點。已有的多種CMOS電路阱的類別,有p阱、n阱、雙阱及倒轉阱等(圖4-3-3)。CMOS電路中的阱-p阱在a型襯底上,以離子注入摻雜使阱區域有足夠的濃度,以補償襯底上的n型摻雜并形成一個p阱區。n型起始材料的摻雜濃度也必須保證能使在其上制備的p溝器件特性符合要求(一般而言,其濃度約3X1014~1X1015 /cm3)。p阱的摻雜濃度也必須高于n型襯底濃度5~10倍。摻雜過濃也將損害n溝器件的性能
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/cmoszspjfx_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
                地 址/Address
        
            
        
                工廠地址：安徽省六安市金寨產業園區
                
        
                深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
        
                電話：13534146615
                企業QQ：2881579535
            
        
        
        
        
        
            
        
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