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[常見問題解答]深入解析肖特基二極管的工作原理與特性優勢[ 2024-12-14 15:17 ]

肖特基二極管由于其獨特的結構和工作原理，在廣泛使用的半導體器件中占據著重要的地位。肖特基二極管適合許多高效率電路設計,因為它們具有更快的響應速度和更低的正向壓降比傳統 PN 結二極管更佳。一、肖特基二極管的結構特點肖特基二極管的結構比較簡單，組成為：金屬和半導體結合形成金屬-半導體結（M-S）。與傳統的PN結二極管不同，PN結二極管的功能是通過P型和N型半導體的界面來實現的，而肖特基二極管則是通過金屬和半導體之間的接觸形成自己的肖特基勢壘。常見的金屬材料有鋁、鉬等，而半導體材料常用N型硅或砷化鎵。這種結構的最大優點

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[常見問題解答]從硅到砷化鎵：晶體管中使用的多樣化材料[ 2024-08-22 11:01 ]

晶體管，作為現代電子設備的核心組件，其性能在很大程度上取決于構成其基礎的半導體材料。本文將探討從硅到砷化鎵等多樣化半導體材料的使用及其對晶體管功能的影響。一、硅（Si）：晶體管技術的基石硅是最廣泛使用的半導體材料之一，其優勢在于成熟的生產技術和優異的電子性能。硅晶體管因具有較低的制造成本和高效的性能表現，在全球范圍內被廣泛應用于計算機、手機和其他消費電子產品中。例如，傳統的硅基MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是構建現代電子設備的基本元件之一，由于其高效的開關性能和電力控制能力，被廣泛用于處理器和內存

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[常見問題解答]如何有效利用光耦繼電器優化您的電路設計？[ 2024-07-18 10:18 ]

光耦繼電器是一種利用光信號進行電氣隔離的電子設備，廣泛應用于各種高精度電子電路中。本文將從兩個主要方面介紹光耦繼電器：其基本工作原理和常見的使用方法。首先，我們來了解光耦繼電器的基本工作原理。以TLP641J光耦作為例子，它由一個砷化鎵紅外發光二極管和一個光控晶閘管組成。發光二極管位于光耦的一側，當其接受外部電壓驅動時，可以發出紅外光。這束光會激活另一側的光控晶閘管，從而將光信號轉換為電信號。這種設備特別適用于需要電氣隔離的場合，如在高壓環境中控制低壓設備。接下來，討論光耦繼電器的使用。通常，用戶可以購買現成的光耦

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[常見問題解答]探索高性能音頻系統：設計低噪聲放大器的步驟與軟件仿真技巧[ 2024-07-12 11:34 ]

一、低噪聲放大器的概述與應用低噪聲放大器通常作為無線電接收機的高頻或中頻前置放大器，以及高靈敏度電子探測設備的重要組成部分。在放大微弱信號時，減少放大器自身產生的噪聲至關重要，以確保信號的清晰傳輸和高信噪比的輸出。二、放大器噪聲系數的影響因素現代低噪聲放大器主要采用晶體管、場效應晶體管等組件。放大器的噪聲系數（F），通常用來衡量其信噪比的惡化程度，是一個關鍵性能指標。理想情況下，放大器的噪聲系數為1（0分貝），意味著輸入與輸出的信噪比相等。微波低噪聲放大器還可能采用變容二極管或砷化鎵場效應晶體管，這些高性能的組件使

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[常見問題解答]探索低噪音運算放大器：性能與應用全面解析[ 2024-07-11 11:07 ]

低噪聲放大器在現代通信系統中扮演著核心角色，主要用于放大來自天線的微弱信號。這些放大器通常被安置在靠近天線的位置，以減少信號在傳輸過程中的損耗。尤其在如全球定位系統（GPS）等應用中，低噪聲放大器由于其配置接近天線，可以有效降低同軸電纜在微波頻率范圍內的大損耗。隨著通信頻段的逐步升高，射頻放大器日漸成為模擬放大器市場的重要組成部分。系統天線收到的信號需要在進一步處理前進行放大，而低噪聲放大器（LNA）在此環節中起到至關重要的作用。從傳統觀點出發，低噪聲放大器多采用砷化鎵等III-V族材料，但隨著技術的演進，硅基晶體

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[常見問題解答]探索半導體激光器的世界：常見類型與其獨特性能解析[ 2024-06-26 11:13 ]

1. 半導體激光設備在多個行業內的應用廣泛在通信行業內，半導體激光設備用于提升光纖通訊的傳輸速度和數據容量。在工業領域，它助力于提高材料處理、打印和檢測的效率及質量。醫療領域中，此類激光設備應用于手術操作、治療及分析技術，以提升治療效果和診斷精度。此外，在軍事應用中，它們用于激光武器、定位系統和雷達技術，以增強戰斗和導航能力。2. 半導體激光器的種類及其特征概述半導體激光器，亦稱作激光二極管，是一種運用半導體材質產生激光的設備。這種設備以砷化鎵、硫化鎘等材料為基礎，通過電注入、電子束和光泵浦等多種激勵方式來產生激光

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[常見問題解答]探索半導體激光器的工作機制與設計要點[ 2024-06-06 14:37 ]

半導體激光器的核心工作原理，是依托電子在半導體材料中的能帶躍遷來實現發光。當電子從高能態的導帶落至低能態的價帶時，會釋放出能量，形成光子。此過程即為半導體的輻射躍遷。此類材料分為直接帶隙和間接帶隙兩種，其中，如砷化鎵等直接帶隙材料，由于其輻射躍遷幾率高，因此發光效率更優。半導體激光器的結構通常包括同質結、單異質結與雙異質結等類型。在室溫下，同質結和單異質結激光器多作為脈沖工作模式，而雙異質結激光器則能在室溫下持續工作。這些設備的激勵方式包括電注入、電子束激勵及光泵浦。在半導體激光器中，粒子數的反轉分布是產生激光的一

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[常見問題解答]變容二極管的原理與作用介紹[ 2022-01-05 11:15 ]

變容二極管的原理與作用介紹二極管具有勢壘電容，通過外加電壓可以改變空間電荷區的寬度，從而改變這種勢壘電容量的大小，變容二極管就是利用這種特性制成的非線性電容元件，又稱“可變電抗二極管”。制作材料多為硅或砷化鎵單晶，并采用外延工藝技術。反偏電壓愈大，則結電容愈小;其具有與襯底材料電阻率有關的串聯電阻。變容二極管1.工作原理變容二極管為特殊二極管的一種。工作時的外加條件與穩壓二極管類似，它必須工作在反向電壓偏置區(穩壓二極管工作在反向擊穿狀態下)。當變容二極管兩端加上反向電壓時，其內部的PN結變

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[行業資訊]HMC358MS8GETR中文參數規格書PDF 電路圖[ 2021-12-22 12:15 ]

HMC358MS8GETR中文參數規格書PDF 電路圖描述HMC358MS8GETR為砷化鎵InGaP異質結雙極晶體管(HBT)MMICVCO。HMC358MS8GETR集成了諧振器、負電阻器件、變容二極管和緩沖放大器。VCO的階段超溫噪聲性能優異，由于振蕩器的單片集成電路而產生的沖擊和過程結構3V電源的典型功率輸出為11dBm電源電壓。壓控振蕩器是封裝在一個低成本的表面安裝8引腳MSOP中帶有外露底座的封裝，可提高射頻和熱性能。產品概述制造商ADI公司制造商產品編號HMC358MS8GETR供應商ADI公司描述

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[常見問題解答]集成電路的分類與介紹[ 2021-11-12 17:27 ]

集成電路的分類與介紹集成是發展的趨勢之一，對于集成，更多體現在電路方面。在這篇文章中，為增加大家對集成電路的認識，本文將對集成電路、集成電路的分類進行介紹。一、集成電路簡介半導體是指常溫下導電能力介于導體和絕緣體之間的材料，常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等。按照其制造技術，半導體市場由集成電路、光電器件、分立器件和傳感器四大類產品構成。由于集成電路占半導體產品總體銷售額的絕大多數，一般將集成電路產品粗略等同于半導體產品。集成電路是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝將電路設計中需要實現的晶體管、二極管、電阻、電

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[常見問題解答]二極管應用電路設計了解[ 2021-02-02 15:23 ]

二極管應用電路設計了解一、實驗目的1. 掌握實驗的基本操作以及元件連接的方法； 2. 加深對二極管的基本性質的了解； 3. 熟悉基準穩壓源的使用。二、實驗原理1. 光電對管光電對管由紅外發光二極管和紅外接收二極管組成。發光二極管通常用砷化鎵、磷化鎵、磷砷化鎵等化合物制成，符號圖如圖1所示。當發光二極管外加正向電壓，使得正向電流足夠大時才發光。正向電流越大，發光越強。而且構成發光二極管的材料不同，發出的光的波長也不同。本實驗用的紅外發光二極管的管壓降約為1.4V，工作電流一般小于20mA。光電二極管與發光二極

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[常見問題解答]發光二極管(LED)的發光原理知識介紹[ 2020-10-15 16:30 ]

發光二極管(LED)的發光原理知識介紹發光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等半導體制成的，其核心是PN結。因此它具有一般P-N結的I-N特性，即正向導通，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發光特性。在正向電壓下，電子由N區注入P區，空穴由P區注入N區。進入對方區域的少數載流子（少子）一部分與多數載流子（多子）復合而發光，如圖1所示。假設發光是在P區中發生的，那么注入的電子與價帶空穴直接復合而發光，或者先被發光中心捕獲后，再與空穴復合發光。除了這種

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[常見問題解答]發光二極管的結構以及優點[ 2020-10-09 17:38 ]

發光二極管的結構以及優點發光二極管又被叫做LED，是半導體二極管的一種，以氮、砷、鎵、磷為主的各種化合物制成。當二極管的PN結中電子與空穴復合時就會輻射出可見光，以此原理把二極管制成發光二極管。ESD二極管040224VVBR=26.5發光二極管又會因為內部化合物成份組成的半導體材料的不同而輻射出不同顏色的光，氮化鎵二極管會發出藍光、磷化鎵二極管會發綠光、砷化鎵二極管會發紅光、碳化硅二極管會發黃光。發光二極管也是一個PN結構成，有單向導電性。當發光二極管被施加正向電壓時，空穴會從P區流動到N區同時電子會從N區流向P

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[常見問題解答]半導體知識-半導體要怎么區分[ 2020-09-01 17:38 ]

半導體知識-半導體要怎么區分半導體如何區分，根據物體導電能力(電阻率)的不同，來劃分導體、絕緣體和半導體。導體：容易導電的物體。如：鐵、銅等等；絕緣體：幾乎不導電的物體。如：橡膠等等；半導體：半導體是導電性能介于導體和半導體之間的物體。在一定條件下可導電。半導體的電阻率為10-3～109Ω·cm。典型的半導體有硅Si和鍺Ge以及砷化鎵GaAs等。半導體如何區分詳解（一）導體導電和本征半導體導電的區別導體導電只有一種載流子：自由電子導電半導體導電有兩種載流子：自由電子和空穴均參與導電自由電子和空穴成對出

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[常見問題解答]什么是發光二極管-發光二極管的作用是什么[ 2020-06-03 17:09 ]

什么是發光二極管-發光二極管的作用是什么二極管廣泛應用于電子當中，所以在日常生活中隨處可見。二極管的種類可有不少，發光二極管就是其中一種，那么什么是發光二極管呢？發光二極管又有哪些作用呢？什么是發光二極管LED（LightEmittingDiode）即發光二極管，是一種半導體發光器件，可以將電能轉化為光能。它是由含鎵（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等元素的化合物制成，當電子與空穴復合時能輻射出可見光。當上述元素進行不同搭配時可以產生不同顏色的光，如：砷化鎵能發出紅光、磷化鎵能發出綠光、碳化硅能發出黃光等，進

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[常見問題解答]發光二極管的類型和不同類型LED的工作原理[ 2020-04-22 12:01 ]

發光二極管的類型和不同類型LED的工作原理發光二極管的類型•砷化鎵（GaAs）-紅外線•砷化鎵磷化物（GaAsP）-紅色到紅外線，橙色•鋁鎵砷磷化物（AlGaAsP）-高亮度紅色，橙紅色，橙色和黃色•磷化鎵（GaP）-紅色，黃色和綠色•磷化鋁鎵（AlGaP）-綠色•氮化鎵（GaN）-綠色，翠綠色•鎵氮化鎵（GaInN）-近紫外，藍綠色和藍色•碳化硅（SiC）-藍色作為基板•硒化鋅（ZnSe）-藍色•氮化鋁鎵（AlGa

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[常見問題解答]LED發光二極管的工作原理應用-分類與檢測[ 2020-03-14 14:46 ]

LED發光二極管的工作原理應用-分類與檢測LED發光二極管的工作原理、應用、分類及檢測半導體發光器件包括半導體發光二極管（簡稱LED）、數碼管、符號管、米字管及點陣式顯示屏（簡稱矩陣管）等。事實上，數碼管、符號管、米字管及矩陣管中的每個發光單元都是一個發光二極管。（一）LED發光原理發光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等半導體制成的，其核心是PN結。因此它具有一般P-N結的I-N特性，即正向導通，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發光特性。在正

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[常見問題解答]半導體激光器基礎知識詳情[ 2020-01-10 10:22 ]

半導體激光器基礎知識詳情半導體激光器又稱激光二極管，是用半導體材料作為工作物質的激光器。由于物質結構上的差異，不同種類產生激光的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦（InP）、硫化鋅（ZnS）等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式。半導體激光器件，可分為同質結、單異質結、雙異質結等幾種。同質結激光器和單異質結激光器在室溫時多為脈沖器件，而雙異質結激光器室溫時可實現連續工作。半導體二極管激光器是最實用最重要的一類激光器。它體積小、壽命長，并可采用簡單的注入電流的方式

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[常見問題解答]發光二極管交替閃爍的電路圖設計[ 2019-12-27 11:12 ]

發光二極管發光二極管簡稱為LED。由含鎵（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成。當電子與空穴復合時能輻射出可見光，因而可以用來制成發光二極管。在電路及儀器中作為指示燈，或者組成文字或數字顯示。砷化鎵二極管發紅光，磷化鎵二極管發綠光，碳化硅二極管發黃光，氮化鎵二極管發藍光。因化學性質又分有機發光二極管OLED和無機發光二極管LED。應用在LED于20世紀60年代問世到80年代之前這10多年中，LED只有紅、黃、綠幾種顏色，發光效率很低（僅約1 lm/W），亮度比較低，而且價格高，人們只是將其用作電子產

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[常見問題解答]光晶體管的基礎知識分析[ 2019-11-07 11:53 ]

光晶體管是由雙極型晶體管或場效應晶體管等三端器件構成的光電器件。光在這類器件的有源區內被吸收，產生光生載流子，通過內部電放大機構，產生光電流增益。光晶體管三端工作，故容易實現電控或電同步。光晶體管所用材料通常是砷化鎵（GaAs），主要分為雙極型光晶體管、場效應光晶體管及其相關器件。技術原理透過將激光束集中在單分子上，ETH Zurich的科學家只用單個分子就產生激光運作的基本條件──受激發射（stimulated emission）。由于在低溫下，分子會增加它們的外表面積（apparent surface area

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