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        [常見問題解答]多值電場晶體管結構的設計與應用分析[ 2025-04-23 12:02 ]
        多值電場晶體管(MV-Field Effect Transistor, MV-FET)作為新型半導體器件,具有多進制邏輯運算的潛力,因此在現代電子技術中受到了越來越多的關注。其結構與傳統的二進制晶體管不同,能夠提供多種電壓選擇,適用于更加復雜的電路和應用需求。1. 結構設計多值電場晶體管的結構通常由多個PN結組成,每個PN結都在特定的外加電場作用下表現出不同的電氣特性。通過調節電場的強度和方向,可以使晶體管在多個電壓狀態下進行操作,這使得該晶體管能夠在多進制邏輯中發揮重要作用。結構上,MV-FET的核心設計在于其電
        http://www.kannic.com/Article/dzdcjtgjgd_1.html3星
        [常見問題解答]低功耗MOS管選型指南:封裝類型與應用解析[ 2025-03-07 14:51 ]
        隨著電子技術不斷進步,設備對小型化和低功耗的需求日益增長。MOS管(金屬氧化物半導體場效應管)因其高效的開關性能和低損耗特性,在電源管理、信號處理及各類開關電路中發揮著關鍵作用。合理選型不僅能減少能耗,延長設備續航,還能提升電路的整體運行效率。一、低功耗MOS管選型關鍵要素在選擇MOS管時,需要結合具體的應用需求進行評估,以下幾個關鍵參數至關重要:1. 工作電壓與電流MOS管的工作電壓和電流是選型的基礎,主要包括:- 最大漏-源電壓(Vds):決定了MOS管能夠承受的最大電壓,應根據電路工作電壓選擇合適的Vds,通
        http://www.kannic.com/Article/dghmosgxxz_1.html3星
        [常見問題解答]常見雙電源選擇供電電路-場效應管應用電路分析(1)[ 2021-04-07 10:18 ]
        常見雙電源選擇供電電路-場效應管應用電路分析(1)先上今天的電路,一個簡單的雙電源供電系統。可以理解為,一個為電池供電,一個為充電器供電。需要對供電進行選擇, 情景為當充電器存在的時候,系統供電走充電器;當充電器不在的時候,系統供電走電池。PMOS管 為電源開關電壓選擇V8V存在,并且V8V的電壓高于VBAT Vgs>-0.4V ,則V8V會提供全部電壓,PMOS關斷,VBAT無法提供電壓給VSIN;V8V不在,電壓低,由于Vgs<-1.5V,Q8導通,VBAT供電給VSIN。接地R120作用:保證初始
        http://www.kannic.com/Article/cjsdyxzgdd_1.html3星
        [常見問題解答]NPN三極管與PNP三極管開關電路的區別[ 2021-03-19 12:15 ]
        NPN三極管與PNP三極管開關電路的區別NPN三極管開關電路 1、此電路工作在開關狀態,R1與R2的值,與Q1增益無關。2、R1根據輸入電壓選擇,一般這種電路Q1的B極電流約1ma就可以進入飽和狀態,三極管B-E壓降0.7V所以(5-0.7)/1=4.3K,根據結果選擇近似的常用電阻就行,4.7K常用,所以選4.7K的。3、R2是下拉電阻,作用是在無輸入信號時使3極管可靠截止,選擇就簡單了,只要R1 R2分壓后大于0.7V就可以,R2如果過大,下拉電流太小可能起不到作用。為什么選10K的,也是因為10K的
        http://www.kannic.com/Article/npnsjgypnp_1.html3星

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