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        [常見問題解答]如何控制MOS管制造中的工藝變量[
                                        2025-04-15 11:07
                                        ]
        
                                
        
                                    在半導體行業，MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種至關重要的器件，廣泛應用于集成電路、開關電源以及數字電路中。隨著集成電路技術的不斷進步，MOS管的制造工藝日益復雜，而其中的工藝變量會直接影響MOS管的性能、穩定性和可靠性。1. 工藝變量的定義與影響在MOS管制造過程中，有多個工藝變量可能影響最終的器件性能。主要的工藝變量包括摻雜濃度、氧化層厚度、光刻工藝的精度、退火工藝的溫度和時間等。這些變量的變化不僅會影響MOS管的電氣特性，如閾值
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/rhkzmosgzz_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]MOS管場效應管的動態特性介紹[
                                        2023-04-15 13:50
                                        ]
        
                                
        
                                    一個MOSFET管的動態響應只取決于它充(放)電這個器件的本身寄生電容和由互連線及負載引起的額外電容所需要的時間。 本征電容的主要來源有三個：基本的MOS結構、溝道電荷以及漏和源反向偏置pn結的耗盡區。MOS結構電容MOS晶體管柵通過柵氧與導電溝道相隔離，柵電容Cg取決于柵氧單位面積電容Cox的電容值，氧化層厚度越薄，電容值越低。從MOS管的結構可以看出，在實際中，源和漏與柵有交疊的部分，從而引起柵源、柵漏之間產生覆蓋電容。溝道電容柵至溝道的電容Cgc的大小取決于工作區域和端口電壓，當晶體管處于截至區域時(a)，沒
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/mosgcxygdd_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]半導體器件超結MOSFET知識[
                                        2019-09-09 14:33
                                        ]
        
                                
        
                                    通過調整深槽結構的寬度等各種參數，終極得到終端結的擊穿電壓為740伏特。使用場板的IGBT的終端結構，通過調整場板的長度以及氧化層厚度以進步終端結構的擊穿電壓，最后利用TCAD軟件對設計的終端結構進行模擬仿真優化設計的結果，使得該終端結構達到了1200伏的擊穿電壓。同時，采用深槽結構的終端結在進步的擊穿電壓的基礎上也大大節約了芯片的面積。。基于超結概念的超結MOSFET用采用交替的高摻雜N柱和P柱代替了傳統高阻的n型漂移區，打破了傳統意義上擊穿電壓對導通電阻的強烈制衡（Ron∝VB2.5），使兩者之間幾乎
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/bdtqjcjmos_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
                地 址/Address
        
            
        
                工廠地址：安徽省六安市金寨產業園區
                
        
                深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
        
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