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            當前位置：首頁 » 全站搜索 » 搜索： 柵極驅動電路
        
        
        
            
        
                
        
                    
                    
                            
        
                                
        [常見問題解答]如何選擇自舉電路中的電容值？關鍵參數解析[
                                        2025-03-17 10:18
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    自舉電路在高壓柵極驅動應用中扮演著關鍵角色，它能提供穩定的高端驅動電壓，提高功率開關的效率和可靠性。在設計自舉電路時，自舉電容的選型至關重要，它的容值大小、耐壓要求及其與電路的匹配程度，都會影響驅動電路的性能。


    一、自舉電路的基本工作原理


    自舉電路廣泛應用于高壓柵極驅動電路，特別是在使用N溝道MOSFET或IGBT作為高端開關的情況下。由于MOSFET或IGBT的柵極需要一個高于源極的驅動電壓（通常為VDD + 10V~15V），直接使用單一電
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/rhxzzjdlzd_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]場效應管常見故障分析與修復技巧[
                                        2024-12-11 11:41
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                                    場效應管（FET）作為一種重要的電子器件，廣泛應用于各類電子設備中，尤其是在功率放大、信號調節以及開關控制等領域。盡管場效應管具有較高的性能和穩定性，但在實際應用中，也會因多種因素導致一些常見的故障。本文將分析場效應管的常見故障及其修復方法。一、柵極電壓不穩定導致的故障1. 故障現象場效應管的柵極電壓是控制源極和漏極之間電流流動的關鍵。柵極電壓波動過大時，場效應管的工作狀態可能出現異常，導致器件無法按預期進行電流控制，甚至出現失效。2. 原因分析柵極電壓不穩定的原因主要可能是電源不穩定、去耦電容失效或者柵極驅動電路
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/cxygcjgzfx_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]用單PMOS怎么做分立式負載開關[
                                        2023-07-01 16:42
                                        ]
        
                                
        
                                    用單PMOS怎么做分立式負載開關分立式PMOS負載開關本文分析PMOS用作高邊負載開關天生的優勢以及設計方法。1.負載開關的類型圖3-1：NMOS和PMOS寄生模型在深入研究關鍵參數之前，我們先來看看不同類型的負載開關。高壓側負載開關將負載與電源連接或斷開，由外部啟用信號控制開關將高壓側電源電流切換到負載。而低壓側開關將負載與地連接或斷開，從而從負載吸收電流。負載開關可以容易地用MOSFET實現，MOSFET將電流從電源傳遞到負載，并通過控制信號接通或斷開。將控制信號提供給MOSFET的柵極驅動電路以接通或斷開MO
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/ydpmoszmzf_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]MOS管快速關斷的電路介紹[
                                        2023-04-08 17:14
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                                    MOS管快速關斷的電路介紹一.前言當我們使用MOS管進行一些PWM輸出控制時，由于此時開關頻率比較高，此時就要求我們能更快速的開關MOS管，從理論上說，MOSFET 的關斷速度只取決于柵極驅動電路。當然電流更高的關斷電路可以更快對輸入電容器放電，從而縮短開關時間，進而降低開關損耗。如果使用普通的 N 溝道器件，通過更低輸出阻抗的 MOSFET 驅動器和/或負關斷電壓，可以增大放電電流。提高開關速度也能降低開關損耗，當然由于 MOSFET 的快速關斷也會造成 di/dt 和 dv/dt 更高，因此關斷加速電路會在波形
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/mosgksgddd_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]MOS管知識解析|要如何降低MOS的失效率[
                                        2020-12-15 11:41
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                                    MOS管知識解析|要如何降低MOS的失效率如何以最小代價降低MOS的失效率如何降低MOS的失效率：在高端MOS的柵極驅動電路中，自舉電路因技術簡單、成本低廉得到了廣泛的應用。然而在實際應用中，MOS常莫名其妙的失效，有時還伴隨著驅動IC的損壞。如何解決？一個合適的電阻就可搞定問題。【問題分析】圖為典型的半橋自舉驅動電路，由于寄生電感的存在，在高端MOS關閉后，低端MOS的體二極管鉗位之前，寄生電感通過低端二極管進行續流，導致VS端產生負壓，且負壓的大小與寄生電感與成正比關系。該負壓會把驅動的電位拉到負電位，導致驅動
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/mosgzsjxyr_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]解析柵極驅動參數對IGBT開通的影響[
                                        2020-08-21 15:28
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                                    解析柵極驅動參數對IGBT開通的影響如今，IGBT已被廣泛應用于工業電源領域。與MOSFET相同，它也是一種壓控型器件。其開關性能可通過IGBT驅動設置加以控制或影響。優化IGBT開關性能對于系統設計而言十分重要，因為不同的開關損耗會影響散熱設計和IGBT使用壽命。IGBT的柵極驅動電路看似很簡單，就是一個電壓源和一個柵極電阻。通過改變柵極電阻值，可以影響IGBT開關性能。但在現實系統應用中，會有許多雜散因素有意或無意地產生，比如柵極線纜電感和柵極電容（可能是PCB布線分布電容）。由于IGBT的關斷特性受母排雜散電
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/jxzjqdcsdi_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]MOSFET及IGBT柵極驅動器電路的常見設計難題[
                                        2020-05-18 11:08
                                        ]
        
                                
        
                                    MOSFET及IGBT柵極驅動器電路的常見設計難題在新能源和節能環保大趨勢下，MOSFET和IGBT在交流電機、變頻器、開關電源、電源管理、照明電路、電動工具、牽引傳動等行業中的應用越來越重要。本文從MOSFET技術和開關運行概述入手，按照由易而難的順序，分析了寄生器件的影響、瞬態和極端工作條件等較為流行的電路解決方案及其性能，詳細介紹了接地參考和高側柵極驅動電路的設計流程，以及交流耦合和變壓器隔離解決方案。本報告列舉了幾個逐步設計示例，還專門介紹了在同步整流器應用中MOSFET的柵極驅動應用。主要內容及一些重要的
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/mosfetjigb_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]MOSFET晶體管的開關原理和功率損耗[
                                        2020-04-28 11:02
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                                    MOSFET晶體管的開關原理和功率損耗MOSFET非常重要的一項應用是開關電源，本文以德州儀器發布的《MOSFET和IGBT柵極驅動器電路的基本原理》為例，介紹MOSFET晶體管開通動作的4個階段，包括開通及關斷過程，柵極驅動損耗和開關損耗，以及影響開關性能的源極電感、漏極電感兩個寄生元件的形成機理。為了更好地理解開關過程，電路的寄生電感將被忽略。稍后將單獨分析它對基本操作的相應影響。此外，以下描述涉及到箝位電感式開關，因為開關模式電源中所用的大多數MOSFET晶體管和高速柵極驅動電路都工作在該工作模式下。簡化的電
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/mosfetjtgd_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
                地 址/Address
        
            
        
                工廠地址：安徽省六安市金寨產業園區
                
        
                深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
        
                電話：13534146615
                企業QQ：2881579535
            
        
        
        
        
        
            
        
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