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        [常見問題解答]功率MOSFET并聯時產生寄生振蕩的原因與解決方案[ 2019-11-23 12:04 ]
        功率MOSFET并聯時產生寄生振蕩的原因與解決方案功率MOS管即功率MOSFET,具有熱漂移小,驅動電路簡單,驅動功率小,開關速度快,工作頻率高等優點。憑借出色的熱穩定性,將多個功率MOSFET并聯的方法可行而簡單,這對提高輸出電流非常有意義。事實上,MOSFET工作于高頻率開關狀態,任何電氣特性差異和電路雜散電感均可導致瞬時電壓峰值,以及并聯MOSFET之間的電流分配不平衡。這是非常有害的,因為電流不平衡可能導致功率損耗過大并損壞器件。并聯MOSFET(左)及寄生振蕩狀態的等效電路(右)并聯連接時,最重要的是避免
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        地 址/Address

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