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        [常見問題解答]柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌介紹[ 2023-05-18 17:55 ]
        柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌介紹MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。其中,SiC MOSFET在近年來的應(yīng)用速度與日俱增,它的工作速度非常快,以至于開關(guān)時(shí)的電壓和電流的變化已經(jīng)無法忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓,當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時(shí),可能會發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌,需要對此采取對策。在本文中,將對相應(yīng)的對策進(jìn)行探討。什么是柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌?右側(cè)的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用Si
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