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            當前位置：首頁 » 全站搜索 » 搜索： 寬禁帶半導體
        
        
        
            
        
                
        
                    
                    
                            
        
                                
        [常見問題解答]碳化硅MOSFET柵極電荷陷阱問題剖析：測試思路與器件優化建議[
                                        2025-04-16 14:43
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                                    在寬禁帶半導體器件日益普及的趨勢下，碳化硅MOSFET由于具備高耐壓、高溫穩定性和低導通損耗等優勢，成為高頻高效功率轉換系統中的關鍵元件。然而，其柵極氧化層與界面處的電荷陷阱問題，正成為影響器件長期可靠性和動態性能的核心難題之一。一、電荷陷阱問題的形成機理碳化硅MOSFET的柵極結構通常采用SiO?作為絕緣層，但由于SiC與SiO?之間存在較多的界面態和缺陷，這些缺陷在器件工作中易形成電子或空穴陷阱，導致柵極電荷漂移，進而引起閾值電壓的不穩定變化。這種電荷積累不僅改變柵控行為，還可能在高溫、高壓環境下加劇器件的劣化
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/thgmosfetzjdhxjwtpxcsslyqjyhjy_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]SiC MOSFET動態響應性能分析與優化[
                                        2025-04-10 11:51
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                                    隨著電力電子技術的迅猛發展，SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導體器件，因其高效能、高溫穩定性以及較低的導通電阻，逐漸成為高頻、高溫及高功率密度應用中的首選元件。然而，SiC MOSFET的動態響應性能，特別是在高頻開關操作下的表現，對于其在實際應用中的優劣具有至關重要的影響。因此，分析與優化SiC MOSFET的動態響應性能成為了提升其整體性能和應用潛力的關鍵。一、SiC MOSFET動態響應性能概述SiC MOSFET的動態響應性能主要指其在開關操作過程中，特別是在頻繁的開通和關斷過程中，表現出的電流、電
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/sicmosfetdtxyxnfxyyh_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]碳化硅MOSFET的核心結構解析與應用場景[
                                        2025-03-13 14:34
                                        ]
        
                                
        
                                    碳化硅（SiC）MOSFET是一種基于SiC材料的場效應晶體管，屬于寬禁帶半導體器件。其獨特的物理特性使其具備高耐壓、低損耗、高頻運行以及出色的耐高溫能力，已在電力電子領域得到廣泛應用。相較于傳統硅（Si）MOSFET，SiC MOSFET在能量轉換效率、功率密度和散熱性能方面表現更優，特別適用于高功率、高溫和高速開關場景。一、SiC MOSFET的核心結構解析SiC MOSFET的結構與傳統硅MOSFET在基本設計上相似，但由于SiC材料特性的不同，其結構設計和制造工藝有所優化，以更好地發揮碳化硅的優勢。1. 材
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/thgmosfetd_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]意法半導體展示其最新100V溝槽肖特基整流二極管，推動高效率電力解決方案[
                                        2024-06-04 11:43
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                                    意法半導體于2024年4月2日宣布在中國推出一款新的100V溝槽肖特基整流二極管，專門為高開關頻率的功率轉換器設計，旨在顯著提升其能效。該公司的最新溝槽肖特基二極管，由ST制造，能夠顯著降低整流器的能耗，并展現出卓越的正向電壓和反向恢復性能。與傳統的平面二極管相比，這些新型二極管在不同的電流和溫度條件下，其正向電壓能高出50至100毫伏，從而實現至少0.5%的能效提升。隨著寬禁帶半導體等低開關損耗技術的應用，設計人員已能夠提升功率轉換器的工作頻率，進而增加功率密度。但是，隨著開關頻率的提高，傳統的平面二極管（包括硅
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/yfbdtzsqzx_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]如何為2200瓦逆變器挑選合適的三極管？[
                                        2024-04-25 10:17
                                        ]
        
                                
        
                                    一、未來逆變器技術的發展趨勢和三極管的革新科技的快速進展正在推動逆變器技術向更高的性能目標邁進。尤其是如碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）這樣的寬禁帶半導體材料，它們具有出色的耐壓性、極低的內阻和快速的開關特性，預示著這些材料將在逆變器技術的未來中占據主導地位。此外，隨著逆變器技術朝著智能化和網絡化方向發展，未來的設備不僅需要更有效地管理能源，還要實現簡便的遠程控制，這對三極管的技術要求提出了更高的集成度和更低的能耗。二、三極管在逆變器中的核心作用三極管，在逆變器的設計中占據著中心地位，負責核心的電流放大和開關控制
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/rhw2200wnb_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]SiC碳化硅二極管抗浪涌電流能力缺點以及應對方式[
                                        2020-10-16 16:29
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                                    SiC碳化硅二極管抗浪涌電流能力缺點以及應對方式隨著半導體材料和半導體器件制造技術的迅速發展和成熟，各種新型大功率電力電子裝置廣泛地應用于各個領域。如電力配電系統中的功率控制器 、功率調節器、有源電力濾波器等；大功率高性能 DC/DC 變流器、大功率風力發電機的勵磁與控制器、風力發電中永磁發電機變頻調速裝置、大功率并網逆變器等；在電源方面的應用如高壓脈沖電源及其控制系統、大功率脈沖電源、特種大功率電源及其控制系統等。隨著半導體技術的發展，第三代寬禁帶半導體材料由于具有優異的潛在材料性能，在功率器件中得到了廣泛應用，
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/sicthgejgk_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]簡析為什么不用sic做igbt[
                                        2020-08-21 11:06
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                                    簡析為什么不用sic做igbt首先要說明SiC 也是可以做IGBT的。Si材料的Mosfet存在一個問題，即耐受電壓能力高了芯片就會相應地變厚，導通損耗也就很高，所以硅材料的Mosfet一般只能做低壓器件。為了提高硅基器件的耐壓，所以才設計了IGBT這種器件。SiC是一種寬禁帶半導體材料，可以做到很高的耐壓下芯片還很薄，而現在SiC的Mosfet可以做到6500V耐壓，已經能覆蓋現在的IGBT耐壓水平了，且Mosfet的芯片結構比IGBT簡單，所以目前沒有必要用SiC來做IGBT浪費成本。除非以后需要10kV級別的
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/jxwsmbysic_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
                地 址/Address
        
            
        
                工廠地址：安徽省六安市金寨產業園區
                
        
                深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
        
                電話：13534146615
                企業QQ：2881579535
            
        
        
        
        
        
            
        
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